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　　硅片單面減薄技術(shù)主要應(yīng)用于6500V高壓系列的可控硅、整流二極管、高密度二極管的消費(fèi)工藝，單面減薄的作用是進(jìn)步硅片單面的外表毫伏數(shù)，以便于下一步磷擴(kuò)散工序的順利完成。目前，國(guó)內(nèi)其他企業(yè)都采用常規(guī)減薄工藝，即用磨床減薄。

 

　　其存在如下問題：減薄的平均性差，減去的厚度難以準(zhǔn)確控制，容易碎片，而且經(jīng)過金剛砂研磨，又引入雜質(zhì)，形成硅片外表態(tài)難以控制。本創(chuàng)造的目的是為了提供一種處理上述問題的構(gòu)造設(shè)計(jì)合理、操作簡(jiǎn)單的硅片化學(xué)減薄設(shè)備，完成硅片單面化學(xué)減薄，不只消費(fèi)批量大，而且進(jìn)步了廢品率，儉省資源，降低消費(fèi)本錢。

　　本創(chuàng)造的技術(shù)計(jì)劃是：一種硅片化學(xué)減薄設(shè)備，包括盛裝混酸液體的箱體，其特征在于：所述箱體底面應(yīng)用立柱固定有程度支撐板，所述程度支撐板下方固定有氣體鼓泡盒且程度支撐板上開設(shè)有與氣體鼓泡盒相通的矩陣狀氣泡通孔，所述程度支撐板上方設(shè)有支架且所述支架上支撐有用于裝夾硅片的旋轉(zhuǎn)提籃。

　　所述旋轉(zhuǎn)提籃由兩個(gè)圓形固定板、橫向布置于兩個(gè)圓形固定板之間的四根提籃桿組成，四根提籃桿以圓形固定板的中心線為對(duì)稱中心平均散布，所述提籃桿沿其長(zhǎng)度方向平均設(shè)有多個(gè)徑向環(huán)形槽，四根提籃桿的徑向環(huán)形槽位置互相對(duì)應(yīng)且構(gòu)成多個(gè)垂直方向的硅片裝夾槽。