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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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您是否想要采購半絕緣型8英寸碳化硅襯底和導(dǎo)電型8英寸碳化硅晶片，不妨了解下恒邁瑞公司，專業(yè)生產(chǎn)供應(yīng)碳化硅襯底晶片，尺寸涵蓋2英寸4英寸6英寸及英寸，既有測試D級，研究R級也有產(chǎn)品P級碳化硅襯底。我司與國內(nèi)外半導(dǎo)體公司及實驗室合作多年，對客戶給予價格支持，歡迎有需求客戶詢價。
從碳化硅粉末開始，通過單晶生長，成為錠，然后通過切割拋光工藝進(jìn)入襯底，襯底延伸延伸，然后通過光刻、沉積、離子注入等步驟制作設(shè)備結(jié)構(gòu)晶圓，晶圓變薄退火成晶片，包裝試驗后，是碳化硅功率設(shè)備，最終設(shè)備形成電力電子設(shè)備并應(yīng)用。
PVT法(物理氣相傳輸法)
這是最主流的生長方法。原理：石墨坩堝腔體內(nèi)，電感線圈加熱，發(fā)生渦流作用，石墨發(fā)熱體加熱，溫度上升至2000攝氏度以上，底部的高純碳化硅分解成原子、分子等氣相物質(zhì)，又在溫度梯度的作用下，向低溫區(qū)輸送，在碳化硅籽晶上形核成晶；
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