目前,8英寸碳化硅襯底是市面上尺寸zui大的SiC襯底,恒邁瑞公司可提供4H-N導電型和4H-SI半絕緣型8英寸碳化硅底晶片,厚度均為500um±25um,除8英寸外,恒邁瑞也可供應已停產(chǎn)的2英寸和4英寸導電N型碳化硅晶片及SiC晶錠,歡迎有需求的客戶前來詢價。
作為第三代半導體的主要代表之一,碳化硅與硅相比,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率,其在高溫、高壓、高頻領域表現(xiàn)出色。碳化硅材料性能全面,可生產(chǎn)碳化硅陶瓷、機械密封件、軸承軸套、熱交換管、微通道反應器、窯爐窯具等,經(jīng)過碳-碳復合,材料性能增強后可用于航空航天、核能等行業(yè),是智能電網(wǎng)、新能源汽車、5G 應用等新興產(chǎn)業(yè)的重要半導體材料。