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1100um6英寸碳化硅未拋光切割片生產(chǎn)商

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公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型號6inch
所在地蘇州市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024-10-31
訪問次數(shù)270

產(chǎn)品標(biāo)簽:

碳化硅切割片碳化硅As-cut晶片未拋光碳化硅晶片 Raw-cut碳化硅襯底

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公司介紹主營產(chǎn)品

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

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硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)

目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光(精拋)。恒邁瑞公司可生產(chǎn)供應(yīng)2英寸4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶錠，碳化硅雙拋襯底片及碳化硅切割片。

1100um6英寸碳化硅未拋光切割片生產(chǎn)商產(chǎn)品信息

1100um6英寸碳化硅未拋光切割片生產(chǎn)商

目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光(精拋)。恒邁瑞公司可生產(chǎn)供應(yīng)2英寸4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶錠，碳化硅雙拋襯底片及碳化硅切割片。其中碳化硅切割片厚度選擇性多，有600um 900um 1100um等，長期穩(wěn)定供貨國內(nèi)外研磨拋光設(shè)備輔材廠家。其中化學(xué)機(jī)械拋光作為最終工序，其工藝方法選擇、工藝路線排布和工藝參數(shù)優(yōu)化直接影響拋光效率和加工成本。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光后SiC單晶片獲得超光滑、無缺陷及無損傷表面是高質(zhì)量外延層生長的決定因素。

SiC的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光按照磨料存在狀態(tài)可分為游離磨料拋光和固結(jié)磨料拋光。在游離磨料工藝中，主要采用三體摩擦方式， SiC材料表面會產(chǎn)生微裂紋，形成亞表面損傷。此外，工藝參數(shù)多、游離磨料的分散不穩(wěn)定性對拋光效果均有較大的影響。另外，游離磨料會嵌在拋光表面，不易清洗。拋光過程中游離磨料還會導(dǎo)致拋光墊微孔堵塞，使得表面變得光滑，最終導(dǎo)致材料去除率逐漸下降。