測試激光冷剝離設(shè)備需要采購碳化硅晶錠嗎？答案是一定的，作為第三代半導(dǎo)體材料4英寸6英寸碳化硅SiC晶錠供應(yīng)商，恒邁瑞公司長期穩(wěn)定供應(yīng)測試D級碳化硅晶錠，單根晶錠厚度約20mm，適合碳化硅切割設(shè)備處常用的金剛石多線切割外，新型激光冷剝離，水導(dǎo)激光切割，隱形切割進行測試驗證用。
晶錠生長階段是制備高質(zhì)量碳化硅半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵過程之一。碳化硅晶體生長不僅涉及到精細的物理化學過程，還需要高度精準的技術(shù)操作和環(huán)境控制。晶體生長過程起始于高純度碳化硅微粉原料的選擇和準備。這些微粉通過物理氣相傳輸（PVT）方法在專用的晶體生長爐內(nèi)進行加工。PVT法是一種在高溫真空條件下進行的升華過程，其中粉料被加熱至其升華點以上，從而使其直接從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，繞過液態(tài)階段。
碳化硅晶錠加工是碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中至關(guān)重要的一步，它涉及將初步生長的碳化硅晶體轉(zhuǎn)化為適合后續(xù)加工步驟的均勻、標準化的晶錠。這一階段的目標是確保晶錠具有所需的物理尺寸和晶體方向，以便進一步切割和加工成單晶片。簡要過程為：定向，表面處理，標準化尺寸加工。
