通過高精度的集中度調(diào)整技術(shù)，提供穩(wěn)定的加工品質(zhì)
- 電鑄結(jié)合劑
加工對(duì)象: Silicon wafer, Compound semiconductor wafers (GaAs, GaP, etc.), Oxide wafers (LiTaO3, etc.), etc
運(yùn)用新開發(fā)的集中度控制技術(shù)，開發(fā)出了5個(gè)等級(jí)的集中度系列產(chǎn)品。通過集中度的細(xì)分化，兼?zhèn)淞思庸て焚|(zhì)高（特別是背面崩缺-chipping）和使用壽命長(zhǎng)的新型切割刀片。
- 可滿足各種加工需求的5個(gè)等級(jí)集中度的系列產(chǎn)品
- 縮短預(yù)切割時(shí)間，并采用了降低晶粒飛濺及破損的技術(shù)
集中度范圍
在切割加工中，集中度※會(huì)影響到磨粒層的消耗速度（使用壽命）以及加工品質(zhì)（崩缺-chipping尺寸），通過集中度的高精度控制技術(shù)，使切割刀片消耗量及加工品質(zhì)更趨于穩(wěn)定。
※ 集中度是指在切割刀片中，金剛石（鉆石）磨粒所占有的體積比例值。
例如，集中度100就是表示金剛石（鉆石）磨粒所占的體積為25 %。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
ZH05擴(kuò)大了集中度的選擇范圍，可更加準(zhǔn)確地滿足用戶的各種加工需求。此外，還有望縮短預(yù)切割時(shí)間。
消耗量和背面崩裂的關(guān)系
| Workpiece | Φ6” Si+Oxide layer |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 60 mm/s |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
縮短預(yù)切割的效果
| Workpiece | Φ6” Si |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 10, 20, 30 mm/s（each of 10lines） 40, 50 mm/s（each of 20lines） 60 mm/s（each of 130lines） |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
技術(shù)規(guī)格
