多晶硅破碎機(jī)破碎錘用于多晶硅的破碎，具有耐磨耐用，高純度等特點(diǎn)，對多晶硅
破碎料無污染，圓弧型牙型，破碎多晶硅效果好，粒度均勻 提高多晶硅純度，提升多
晶硅粉價(jià)值。多晶硅破碎機(jī)破碎錘， 直徑50mm, 長度100mm 每把 重 2.0-2.2kg
鎢鈷合金錘 單晶硅多晶硅破碎錘 鎢鋼榔頭 多晶硅破碎錘子
用途：硅料破碎用。
產(chǎn)品特性：硬質(zhì)合金材質(zhì)硬度高，高耐磨，壽命長，對產(chǎn)品無污染無影響。
單晶硅破碎錘頭、單晶硅破碎錘頭、碳化鎢破碎錘頭、硬質(zhì)合金破碎錘頭、單晶硅合金錘頭、多晶硅錘頭、鎢鈦合金錘頭、太陽能晶硅破碎錘頭
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單晶硅破碎合金錘子 高密度、硬度高抗沖擊等有點(diǎn)、碳化鎢鈦合金錘子、硬質(zhì)合金錘子、YG6合金錘子、YG8合金錘子、YG15合金錘子
單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。
硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999％，甚至達(dá)到99.9999999％以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
用途：是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等
現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化的。
熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價(jià)值也就越高。
1.2公斤 多晶硅 錘
2.5公斤 多晶硅 錘
可以根據(jù)客戶需求來定制
