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6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商

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公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)8英寸N型
所在地蘇州市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024-10-31
訪問(wèn)次數(shù)236

產(chǎn)品標(biāo)簽:

8英寸碳化硅襯底碳化硅晶片導(dǎo)電N型碳化硅碳化硅襯底晶片 D級(jí)碳化硅襯底

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

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硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)

6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商恒邁瑞公司專注于生產(chǎn)供應(yīng)導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片，半絕緣SI型級(jí)P型碳化硅襯底晶片，產(chǎn)品涵蓋測(cè)試D級(jí)，研究R級(jí)和產(chǎn)品P級(jí)，不同客戶不同應(yīng)用可選擇對(duì)應(yīng)的參數(shù)等級(jí)。除6-8英寸碳化硅襯底外，我司亦可供應(yīng)2英寸4英寸停產(chǎn)等級(jí)的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價(jià)。

6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)品信息

6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商恒邁瑞公司專注于生產(chǎn)供應(yīng)導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片，半絕緣SI型級(jí)P型碳化硅襯底晶片，產(chǎn)品涵蓋測(cè)試D級(jí)，研究R級(jí)和產(chǎn)品P級(jí)，不同客戶不同應(yīng)用可選擇對(duì)應(yīng)的參數(shù)等級(jí)。除6-8英寸碳化硅襯底外，我司亦可供應(yīng)2英寸4英寸停產(chǎn)等級(jí)的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價(jià)。

SiC 生產(chǎn)過(guò)程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。

制造碳化硅襯底的有物理氣象升華法、化學(xué)氣相沉積法以及頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法三種。物理氣相升華法是在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過(guò)溫場(chǎng)的控制在籽晶表面生長(zhǎng)出碳化硅晶體，是企業(yè)最嘗使用的一種方法。以碳化硅晶片為襯底，使用化學(xué)氣相沉積法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。