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    產(chǎn)品|二手機(jī)|公司|采購(gòu)|資訊

    二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    參考價(jià) 198
    訂貨量 ≥1臺(tái)
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
    • 品       牌其他品牌
    • 型       號(hào)HUSTEC-1600A-MT
    • 所  在  地深圳市
    • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間 2024-09-12
    • 訪問次數(shù)182

    深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測(cè)試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅(qū)動(dòng),新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,家電等領(lǐng)域;華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué),復(fù)旦大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

    igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,10us浪涌電流測(cè)試儀,分立器件測(cè)試儀,柵極電阻/電容測(cè)試儀
    產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 設(shè)備尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
    質(zhì)量 30kg 海拔高度 海拔不超過 1000m
    儲(chǔ)存環(huán)境 -20℃~50℃ 工作環(huán)境 15℃~40℃
    相對(duì)濕度 20%RH ~ 85%RH 大氣壓力 86Kpa~ 106Kpa
    防護(hù) 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害 用電要求 AC220V,±10%
    電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
    二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
    二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

    HUSTEC華科智源

    HUSTEC-1600A-MT

    二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀



    一:二極管靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)

    華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;


    測(cè)試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

    整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。


    二:應(yīng)用范圍

    A:IGBT單管及模塊,

    B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)

    C:大功率二極管

    D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

    E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)


    三、特征:

    A:測(cè)量多種IGBT、MOS管

    B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;

    C:脈沖寬度 50uS~300uS

    D:Vce測(cè)量精度2mV

    E:Vce測(cè)量范圍>10V

    F:電腦圖形顯示界面

    G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

    H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

    I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

    J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

    K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

    L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;

    序號(hào)

    測(cè)試項(xiàng)目

    描述

    測(cè)量范圍

    分辨率

    精度

    1

    VF

    二極管正向?qū)▔航?/p>

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    2

    IF

    二極管正向?qū)娏?/p>

    0~1200A

    ≤200A時(shí),0.1A

    ≤200A時(shí),±1%±0.1A

    3

    >200A時(shí),1A

    >200A時(shí),±1%

    4

    Vces

    集電極-發(fā)射極電壓

    0~5000V

    1V

    ±1%,±1V

    5

    Ic

    通態(tài)集電極電流

    0~1200A

    ≤200A時(shí),0.1A

    ≤200A時(shí),±1%±0.1A

    6

    >200A時(shí),1A

    >200A時(shí),±1%

    7

    Ices

    集電極-發(fā)射極漏電流

    0~50mA

    1nA

    ±1%,±10μA

    8

    Vgeth

    柵極-發(fā)射極閾值電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    9

    Vcesat

    集電極-發(fā)射極飽和電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    10

    Igesf

    正向柵極漏電流

    0~10uA

    1nA

    ±2%,±1nA

    11

    Igesr

    反向柵極漏電流

    12

    Vges

    柵極發(fā)射極電壓

    0~40V

    1mV

    ±1%,±1mV



































    測(cè)試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用


    1) 物理規(guī)格

    設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

    質(zhì)量:30kg

    2) 環(huán)境要求

    海拔高度:海拔不超過 1000m;

    儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

    工作環(huán)境:15℃~40℃。

    相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;

    大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

    防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

    3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

    電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz



    關(guān)鍵詞:變頻器 軌道交通
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