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    產(chǎn)品|二手機|公司|采購|資訊

    功率半導體參數(shù)測試儀

    參考價 198
    訂貨量 ≥1
    具體成交價以合同協(xié)議為準
    • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
    • 品       牌其他品牌
    • 型       號HUSTEC-1600A-MT
    • 所  在  地深圳市
    • 廠商性質生產(chǎn)廠家
    • 更新時間 2024-09-12
    • 訪問次數(shù)112

    深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅動,新能源汽車,風力發(fā)電,變頻器,家電等領域;華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠流長;華科智源公司核心團隊由華中科技大學,復旦大學等國內高校研究所、行業(yè)應用專家等技術人才組建,致力于中國功率半導體事業(yè),積極響應國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導體測試設備國產(chǎn)化。

    igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀,10us浪涌電流測試儀,分立器件測試儀,柵極電阻/電容測試儀
    產(chǎn)地 國產(chǎn) 設備尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
    質量 30kg 海拔高度 海拔不超過 1000m
    儲存環(huán)境 -20℃~50℃ 工作環(huán)境 15℃~40℃
    相對濕度 20%RH ~ 85%RH 大氣壓力 86Kpa~ 106Kpa
    防護 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害 用電要求 AC220V,±10%
    電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
    功率半導體參數(shù)測試儀,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
    功率半導體參數(shù)測試儀 產(chǎn)品信息

    HUSTEC華科智源

    HUSTEC-1600A-MT

    功率半導體參數(shù)測試儀



    一:功率半導體參數(shù)測試儀主要特點

    華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;


    測試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向導通壓降

    整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


    二:應用范圍

    A:IGBT單管及模塊,

    B:大功率場效應管(Mosfet)

    C:大功率二極管

    D:標準低阻值電阻

    E:軌道交通,風力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測


    三、特征:

    A:測量多種IGBT、MOS管

    B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

    C:脈沖寬度 50uS~300uS

    D:Vce測量精度2mV

    E:Vce測量范圍>10V

    F:電腦圖形顯示界面

    G:智能保護被測量器件

    H:上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

    I:MOS IGBT內部二極管壓降

    J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

    K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

    L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;

    序號

    測試項目

    描述

    測量范圍

    分辨率

    精度

    1

    VF

    二極管正向導通壓降

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    2

    IF

    二極管正向導通電流

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    3

    >200A時,1A

    >200A時,±1%

    4

    Vces

    集電極-發(fā)射極電壓

    0~5000V

    1V

    ±1%,±1V

    5

    Ic

    通態(tài)集電極電流

    0~1200A

    ≤200A時,0.1A

    ≤200A時,±1%±0.1A

    6

    >200A時,1A

    >200A時,±1%

    7

    Ices

    集電極-發(fā)射極漏電流

    0~50mA

    1nA

    ±1%,±10μA

    8

    Vgeth

    柵極-發(fā)射極閾值電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    9

    Vcesat

    集電極-發(fā)射極飽和電壓

    0~20V

    1mV

    ±1%,±1mV

    10

    Igesf

    正向柵極漏電流

    0~10uA

    1nA

    ±2%,±1nA

    11

    Igesr

    反向柵極漏電流

    12

    Vges

    柵極發(fā)射極電壓

    0~40V

    1mV

    ±1%,±1mV



































    測試參數(shù):

    ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

    IGESF 正向柵極漏電流

    IGESR 反向柵極漏電流

    BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

    VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

    VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

    ICON 通態(tài)電極電流

    VGEON 通態(tài)柵極電壓

    VF 二極管正向導通壓降

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


    1) 物理規(guī)格

    設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

    質量:30kg

    2) 環(huán)境要求

    海拔高度:海拔不超過 1000m;

    儲存環(huán)境:-20℃~50℃;

    工作環(huán)境:15℃~40℃。

    相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

    大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

    防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

    3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

    電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz



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