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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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目前，8英寸碳化硅襯底是市面上尺寸zui大的SiC襯底，恒邁瑞公司可提供4H-N導(dǎo)電型和4H-SI半絕緣型8英寸碳化硅底晶片，厚度均為500um±25um，除8英寸外，恒邁瑞也可供應(yīng)已停產(chǎn)的2英寸和4英寸導(dǎo)電N型碳化硅晶片及SiC晶錠，歡迎有需求的客戶前來(lái)詢價(jià)。
作為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率，其在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色。碳化硅材料性能全面，可生產(chǎn)碳化硅陶瓷、機(jī)械密封件、軸承軸套、熱交換管、微通道反應(yīng)器、窯爐窯具等，經(jīng)過(guò)碳-碳復(fù)合，材料性能增強(qiáng)后可用于航空航天、核能等行業(yè)，是智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、5G 應(yīng)用等新興產(chǎn)業(yè)的重要半導(dǎo)體材料。
產(chǎn)品名稱參考價(jià)
200mmP級(jí)8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)商廠家
面議在線詢價(jià)測(cè)試D級(jí)8英寸碳化硅襯底片生產(chǎn)廠家
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