| 參考價 | 面議 |
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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蘇州恒邁瑞公司為廣大客戶提供2英寸至8英寸As-cut碳化硅切割片，涵蓋導電N型及半絕緣SI型. 不同尺寸切割片厚度不同，6英寸目前有500um 600um 900um等厚度，2英寸1200um厚，量大也可支持定制生產(chǎn)。可用于磨料，砂輪減薄，拋光等測試驗證用。
經(jīng)過減薄或研磨后, SiC襯底表面損傷深度通常為2-5um,還需要通過拋光工藝來獲得超光滑表面,大多數(shù)的拋光技術(shù)都具有共同原理都是圍繞結(jié)合"化學+機械"的復合工藝,即先用漿料將SiC損傷層表面進行氧化,再通過磨粒和拋光墊的機械摩擦去除軟化后的氧化層。
目前,業(yè)界已經(jīng)發(fā)展出多種拋光技術(shù),例如化學機械拋光(CMP)、電化學拋光(ECMP)、常壓等離子體輔助磨粒(PAR)、光催化輔助化學機械拋光(PCMP)等,目的都是為了增強拋光效果,例如改善表面粗糙度、提高材料去除率(MRR)。化學增效方法主要有電化學、磁流變、等離子體、光催化等,機械增效方法主要有超聲輔助、混合磨粒和固結(jié)磨粒拋光等方法。
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