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三溫CHUCK晶圓盤在半導(dǎo)體制造和測(cè)試領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和案例。以下是針對(duì)其應(yīng)用場(chǎng)景和案例的清晰歸納：
高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK 應(yīng)用場(chǎng)景
1. 半導(dǎo)體測(cè)試：
晶圓測(cè)試：晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，以測(cè)試其電氣特性。三溫CHUCK晶圓盤能夠提供從低溫到高溫的測(cè)試環(huán)境，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
探針臺(tái)測(cè)試：在探針臺(tái)中，晶圓需要被精確地定位和固定。三溫CHUCK晶圓盤能夠穩(wěn)定地夾持和定位晶圓，確保測(cè)試過(guò)程中的精度和一致性。
2. 光刻技術(shù)：
在光刻過(guò)程中，晶圓需要被固定在光刻機(jī)上以保證曝光過(guò)程的平穩(wěn)性和精度。三溫CHUCK晶圓盤能夠?yàn)楣饪虣C(jī)提供穩(wěn)定的晶圓支撐和定位。
3. 薄膜涂覆：
薄膜涂覆過(guò)程中，晶圓卡盤用于將薄膜涂料均勻地涂覆在晶圓表面上。三溫CHUCK晶圓盤能夠確保涂覆過(guò)程在適當(dāng)?shù)臏囟葪l件下進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)薄膜的一致性和高質(zhì)量。
4. 功率器件測(cè)試：
對(duì)于功率器件，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等，需要在不同溫度下進(jìn)行性能測(cè)試。三溫CHUCK晶圓盤能夠模擬這些溫度條件，為功率器件的測(cè)試提供可靠的環(huán)境。
高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK
是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性，廣泛應(yīng)用于八英寸及以下尺寸的半導(dǎo)體器件或晶圓的變溫電學(xué)性能關(guān)鍵參數(shù)分析，如：功率器件建模測(cè)試、晶圓可靠性評(píng)估、生產(chǎn)型變溫檢測(cè)，變溫光電測(cè)試、射頻變溫測(cè)試等。
高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK
特征:
• 僅使用空氣冷卻—無(wú)液體或帕爾貼元件
• 溫度范圍為-65℃到200℃
• 模塊化系統(tǒng)，適合單獨(dú)測(cè)試的需要
• 冷卻劑占地面積小，節(jié)省空間
• 兼容各大主流生產(chǎn)型或分析型探針臺(tái)
• 可集成全套的軟硬件于一體
高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK
型號(hào) TC-A200 TC-A300
溫度范圍 -65℃→+200℃；
可選300℃、400℃ 溫度均勻性 <±0.5℃@<100℃；±0.5%@>100℃
溫控系統(tǒng)分辨率 ±0.01℃
溫度穩(wěn)定性 ±0.1℃
表面平整度 <±8μm@-60℃→+200℃；<±15μm@200℃→+300℃
溫控方式 電加熱/潔凈壓縮空氣（CDA）冷卻
表面材料 鍍鎳（可選鍍金）
