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    D級(jí)碳化硅晶錠廠家 測(cè)試激光冷剝離切割設(shè)備

    參考價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
    • 品       牌其他品牌
    • 型       號(hào)D級(jí)4英寸
    • 所  在  地蘇州市
    • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間 2024-10-31
    • 訪問(wèn)次數(shù)452

    蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī),晶錠研磨機(jī),晶體晶棒拋光機(jī))所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜NP型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

     

    硅基氮化鎵外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅襯底晶片,碳化硅同質(zhì)外延片,氮化鎵襯底片
    產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn)
    碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質(zhì)的測(cè)試級(jí)碳化硅晶棒,可用于激光冷剝離設(shè)備,多線切割設(shè)備,激光冷剝離設(shè)備測(cè)試。
    D級(jí)碳化硅晶錠廠家 測(cè)試激光冷剝離切割設(shè)備 產(chǎn)品信息

    D級(jí)碳化硅晶錠廠家 測(cè)試激光冷剝離切割設(shè)備

    碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質(zhì)的測(cè)試級(jí)碳化硅晶棒,可用于激光冷剝離設(shè)備,多線切割設(shè)備,激光冷剝離設(shè)備測(cè)試。

    光剝離技術(shù)及激光冷切割術(shù)主要應(yīng)用于激光剝離技術(shù)是將激光垂直照射碳化硅晶錠并聚焦到碳化硅晶錠內(nèi)部一定深度使表面層改性后從晶錠上剝離出晶片相較于線切割技術(shù)激光剝離技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)

    1切割時(shí)間從4-5天顯著縮短至17分鐘

    2材料損失率大幅降低并從原理上避免鋸口損失使晶片產(chǎn)出能提高44%更適合大尺寸晶圓的切割

    3省掉晶片研磨環(huán)節(jié)節(jié)約時(shí)間設(shè)備以及人力成本

    一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主,是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料;第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類材料制作。第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。在通信、汽車、高鐵、衛(wèi)星通信、航空航天等應(yīng)用場(chǎng)景中有優(yōu)勢(shì)。其中,碳化硅、氮化鎵的研究和發(fā)展更為成熟。


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