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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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D級碳化硅晶錠廠家 測試激光冷剝離切割設(shè)備
碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質(zhì)的測試級碳化硅晶棒，可用于激光冷剝離設(shè)備，多線切割設(shè)備，激光冷剝離設(shè)備測試。
光剝離技術(shù)及激光冷切割術(shù)主要應(yīng)用于激光剝離技術(shù)是將激光垂直照射碳化硅晶錠
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一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料；第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，目前手機所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類材料制作。第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。在通信、汽車、高鐵、衛(wèi)星通信、航空航天等應(yīng)用場景中有優(yōu)勢。其中，碳化硅、氮化鎵的研究和發(fā)展更為成熟。
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