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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
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SiC碳化硅原始晶錠晶棒生產(chǎn)廠家，用于測試碳化硅C碳面球面平整度
蘇州恒邁瑞公司為國內(nèi)外客戶生長供應碳化硅原始晶錠，也可以稱之為碳化硅坯料，可用于
用于測試碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸導電型碳化硅原始晶錠或半絕緣型碳化硅毛坯料
碳化硅主要采用物理氣相輸運法（PVT，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法），高溫化學氣相沉積法（HTCVD）作為補充。核心步驟大致分為：
碳化硅固體原料；
加熱后碳化硅固體變成氣體；
氣體移動到籽晶表面；
氣體在籽晶表面生長為晶體。
SiC 材料擁有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率以及抗輻射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更適合在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的環(huán)境中工作。在功率等級相同的條件下，采用 SiC 器件可滿足功率密度更高、設計更緊湊的需求。
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