半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用是各領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)。其中，硅基氮化鎵（Gallium Nitride）外延片作為一種新型高性能半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用場(chǎng)景日益拓展，引起了業(yè)界的關(guān)注。蘇州恒邁瑞公司為客戶生產(chǎn)定制4英寸至8英寸GaN-on-Si硅基氮化鎵外延片。硅基氮化鎵外延片具有諸多優(yōu)勢(shì)。以AlGaN/GaN-on-Si為例，這種氮化鎵外延片采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的氮化鎵薄膜。該工藝不僅降低了生產(chǎn)成本，還實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)線的應(yīng)用，為實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高溫等苛刻條件下的電子設(shè)備提供了可能。隨著5G通信、新能源汽車、人工智能等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β势骷男枨蟛粩嘣鲩L(zhǎng)，硅基氮化鎵外延片作為關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料的地位逐漸凸顯。硅基氮化鎵外延片制造行業(yè)在未來有著發(fā)展?jié)摿涂臻g。相關(guān)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量，并積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，共同推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展
4英寸硅基GaN氮化鎵外延片廠家價(jià)格結(jié)構(gòu)
| 參考價(jià) | 面議 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
- 品 牌其他品牌
- 型 號(hào)4inch
- 所 在 地蘇州市
- 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024-04-02
- 訪問次數(shù)381
產(chǎn)品標(biāo)簽:
硅基GaN外延片RF HEMT氮化鎵外延片GaN外延片生產(chǎn)商pGaN-on-Si氮化鎵外延片AlGaN/GaN on Si外延片
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片
| 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|
4英寸硅基GaN氮化鎵外延片廠家價(jià)格結(jié)構(gòu) 產(chǎn)品信息
- 8英寸SI型 半絕緣8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)商
- 4英寸N型 低阻高摻雜P型碳化硅晶片生產(chǎn)商
- 6英寸N型 4英寸6英寸P級(jí)碳化硅襯底晶片廠
- 8英寸N型 6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商
- 8英寸N型 200mmP級(jí)8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)商
- 8英寸N型 測(cè)試D級(jí)8英寸碳化硅襯底片生產(chǎn)廠
- 4inch 耗盡型AlGaN/GaN硅基氮化鎵外延
- 6inch 1100um6英寸碳化硅未拋光切割片
- 6inch 900um厚導(dǎo)電N型碳化硅切割片廠家
- 2inch 50.8mm2英寸碳化硅切割晶片廠家
- 2inch 2英寸雙拋碳化硅襯底供應(yīng)商切割
- 碳化硅晶錠廠家激光改質(zhì)切割應(yīng)用
