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水導(dǎo)激光切割測(cè)試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)4H-N
所在地蘇州市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024-10-31
訪問(wèn)次數(shù)562

產(chǎn)品標(biāo)簽:

碳化硅晶錠碳化硅晶棒碳化硅晶體碳化硅襯底碳化硅切割片

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

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硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)

水導(dǎo)激光切割技術(shù)在切割碳化硅晶錠質(zhì)量方面更有優(yōu)勢(shì)，蘇州恒邁瑞公司生長(zhǎng)供應(yīng)水導(dǎo)激光切割設(shè)備測(cè)試用碳化硅晶錠晶棒，測(cè)試級(jí)采購(gòu)成本相較于研究級(jí)產(chǎn)品級(jí)碳化硅晶棒要少很多，特別適合設(shè)備前期驗(yàn)證測(cè)試用。

水導(dǎo)激光切割測(cè)試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商產(chǎn)品信息

水導(dǎo)激光切割測(cè)試 SiC碳化硅晶錠生產(chǎn)商

水導(dǎo)激光切割技術(shù)在切割碳化硅晶錠質(zhì)量方面更有優(yōu)勢(shì)，蘇州恒邁瑞公司生長(zhǎng)供應(yīng)水導(dǎo)激光切割設(shè)備測(cè)試用碳化硅晶錠晶棒，測(cè)試級(jí)采購(gòu)成本相較于研究級(jí)產(chǎn)品級(jí)碳化硅晶棒要少很多，特別適合設(shè)備前期驗(yàn)證測(cè)試用。

技術(shù)首先讓激光經(jīng)過(guò)凸透鏡聚焦后通過(guò)石英玻璃窗體進(jìn)入到耦合水腔，調(diào)整聚焦透鏡與小孔噴嘴之間的距離使激光焦點(diǎn)剛好處于噴嘴上表面中心，然后讓激光束在進(jìn)入穩(wěn)定的水射流后發(fā)生全反射，使得激光沿水流方向傳播，從而通過(guò)高壓水射流引導(dǎo)加工材料表面進(jìn)行切割。

該技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)：

1）水流能冷卻切割區(qū)，降低材料熱變形和熱損傷程度；

2）切割速度明顯加快；

3）噴射的水流帶走加工碎屑及污染物；

4）水束光纖的工作距離大，且無(wú)需激光聚焦；

5）較小的水流直徑縮短切縫寬度，提高了加工的精度，切割截面更為光滑。因此，水導(dǎo)激光切割技術(shù)將成為切割提高產(chǎn)能及良率的有效途經(jīng)。

碳化硅分為導(dǎo)電型和半絕緣型。由導(dǎo)電型碳化硅襯底生長(zhǎng)出的碳化硅外延片可進(jìn)一步制成功率器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域；半絕緣型襯底主要用于制造氮化鎵微波射頻器件，是無(wú)線通信領(lǐng)域的基礎(chǔ)性器件。碳化硅襯底是這個(gè)應(yīng)用的最上游，關(guān)系到整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

關(guān)鍵詞：軌道交通