碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠家AlGaN/GaN

蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產(chǎn)AlGaN/GaN on SiC碳化硅基氮化鎵外延片，4英寸及6英寸均可生產(chǎn)外延供應(yīng)。我司采用高品質(zhì)半絕緣碳化硅襯底晶片，襯底厚度500um。外延片指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶形成的產(chǎn)品，外延片決定器件約70%的性能，是半導(dǎo)體芯片的重要原材料。外延片作為半導(dǎo)體原材料，位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。外延片制造商在襯底材料上通過(guò)CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）設(shè)備、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）設(shè)備等進(jìn)行晶體外延生長(zhǎng)、制成外延片。

第三代半導(dǎo)體材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體。一二代半導(dǎo)體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限，在微電子領(lǐng)域的摩爾定律開(kāi)始逐步失效，而第三代半導(dǎo)體是可以超越摩爾定律的。相比于一代及第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個(gè)方面具備明顯的優(yōu)勢(shì)，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。