| 參考價 | 面議 |
蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
4英寸SiC碳化硅基GaN氮化鎵外延片RF應用
蘇州恒邁瑞公司供應高品質(zhì)4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能更好，具有寬禁帶、強原子鍵、高熱導率、化學穩(wěn)定性好和強抗輻照等性質(zhì)，在光電子、功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
第三代半導體材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體。一二代半導體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限，在微電子領(lǐng)域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。相比于一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
產(chǎn)品名稱參考價
*您想獲取產(chǎn)品的資料：
個人信息：
