可測(cè)參數(shù): Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試
可測(cè)器件: IGBT,二極管,氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等
測(cè)試頻率:1MHz
測(cè)試電壓范圍:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信號(hào)電壓范圍:1mV~1000mV
Rg 范圍:≤300Ω
測(cè)試精度:0.01pf
華科智源柵極電阻/柵極電容測(cè)試儀特點(diǎn):
1,測(cè)試速度快。
2,可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。
3,測(cè)試精度高,測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)。
4,可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形,可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件。