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8英寸碳化硅晶片廠家As-cut切割片廠商

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公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型號8inch
所在地蘇州市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024-02-29
訪問次數(shù)786

產(chǎn)品標(biāo)簽:

碳化硅切割片碳化硅As-cut晶片未拋光碳化硅晶片 Raw-cut碳化硅襯底

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公司介紹主營產(chǎn)品

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

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硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)

蘇州恒邁瑞材料科技主要生產(chǎn)供應(yīng)4英寸、6英寸8英寸4H-N型導(dǎo)電碳化硅切割片和4英寸6英寸4H半絕緣碳化硅切割晶片，所生產(chǎn)的碳化硅襯底片產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于以新能源汽車、高速軌道交通、超高壓智能電網(wǎng)為代表的功率電子應(yīng)用領(lǐng)域和以5G通信、航空航天通信、相控陣?yán)走_(dá)等為代表的高頻射頻應(yīng)用領(lǐng)域。

8英寸碳化硅晶片廠家As-cut切割片廠商產(chǎn)品信息

8英寸碳化硅晶片廠家As-cut切割片廠商

碳化硅襯底是電力電子器件的理想襯底，具有低的開啟電阻、高的擊穿電壓、高的熱導(dǎo)率以及高的工作溫度。碳化硅襯底能夠降低開關(guān)損耗、降低冷卻需求，使得器件小型輕量化、提升系統(tǒng)整體性能。

碳化硅襯底晶片及其功率器件
● 襯底晶片應(yīng)用：照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等
● 新能源汽車應(yīng)用：電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等
● 應(yīng)用：機(jī)載雷達(dá)通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等
● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等

SiC是由硅和碳組成的化合物半導(dǎo)體材料，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。C原子和Si原子不同的結(jié)合方式使SiC擁有多種晶格結(jié)構(gòu)，如4H、6H、3C等等。4H-SiC因?yàn)槠漭^高的載流子遷移率，能夠提供較高的電流密度，常被用來做功率器件。