該電容器用聚丙烯膜作介質(zhì)，鐵路信號(hào)區(qū)間補(bǔ)償電容 22uF補(bǔ)償電容數(shù)線接近像素電極的兩邊位置處會(huì)產(chǎn)生寄生電容。由于像素電有兩不同長(zhǎng)度的電容性耦接邊，因此像素電極兩邊與數(shù)線電容性耦接所產(chǎn)生的寄生電容不同，亦即。此寄生電容的差異導(dǎo)致像素電極操作電壓的不同。,接收到軟件的警信息后，只需安排人去指置進(jìn)行性測(cè)量，減少了大量重復(fù)的實(shí)地測(cè)量工作。補(bǔ)償電容故障警及時(shí)采用實(shí)時(shí)數(shù)警，能在發(fā)生故障時(shí)間進(jìn)行警提示，工作人員可以及時(shí)進(jìn)行更換。并在其介質(zhì)上真空真鍍一層金屬層為電J制作而成，自愈性能良好，鐵路信號(hào)區(qū)間補(bǔ)償電容 22uF補(bǔ)償電容將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電容的相對(duì)容值信息，利用程序編寫(xiě)的界面在顯示器上顯示出來(lái)，便于判斷補(bǔ)償電容的相對(duì)容值同時(shí)，工控機(jī)控制模塊，獲取裝置的空間位置和運(yùn)動(dòng)速度信息，并利用相關(guān)輔助信息如地面設(shè)施位置靜態(tài)數(shù)庫(kù)信息等。,半導(dǎo)體層可由非晶質(zhì)硅所構(gòu)成。源極電極及漏極電極形成且部覆蓋半導(dǎo)體層于柵極電極的兩邊。源極電極形成于柵極絕緣層上連接數(shù)線。根的一具體實(shí)施例中，數(shù)線一電容性耦接部，例如一凸出部座落于薄膜晶體管與像素電極之間。,與系統(tǒng)背板相連信號(hào)源模塊作為功放模塊的信號(hào)前級(jí)，產(chǎn)生具有頻率的模擬信號(hào)，并通過(guò)系統(tǒng)背板向功放模塊輸出可調(diào)節(jié)頻率的模擬信號(hào)。功放模塊，與系統(tǒng)背板發(fā)射天線相連功放模塊作為信號(hào)源模塊的信號(hào)后級(jí)，接收信號(hào)源模塊通過(guò)系統(tǒng)背板輸入的模擬信號(hào)。使用絕緣橡套電纜線軸向引出，其引出端子用塞釘或線鼻子。

1.環(huán)境溫度：－40℃ ～85℃
2.額定電壓：160Va.c.鐵路信號(hào)區(qū)間補(bǔ)償電容 22uF補(bǔ)償電容信號(hào)采集及發(fā)射模塊用于采集系統(tǒng)負(fù)載的瞬時(shí)電壓和瞬時(shí)電流，將其處理并發(fā)送給信號(hào)接收及處理模塊。中繼線圈模塊中繼線圈和補(bǔ)償電容，補(bǔ)償電容為可調(diào)電容器，中繼線圈與補(bǔ)償電容串聯(lián)。,采用相同長(zhǎng)度的電極與電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有利于根實(shí)際使用需求，更改電極長(zhǎng)度。補(bǔ)償電容組件參見(jiàn)圖圖圖所示，補(bǔ)償電容組件由電極連接件和連接件組成，連接件和連接件的結(jié)構(gòu)相同。連接件和連接件套接在電極上端的外壁上，連接件置于電極的上端。
3.標(biāo)稱電容量：22uF、33uF、40uF、46uF、50uF、55uF、60uF、70uF、80uF、90uF

4.電容量允許偏差：±5%(J);±10%(K)

5.損耗角正切：≤70×10-4（1KHZ）

6.絕緣電阻：≥500MΩ

7.耐電壓： 1.3UR( 10S )鐵路信號(hào)區(qū)間補(bǔ)償電容 22uF補(bǔ)償電容并且將步驟中的檢測(cè)值設(shè)定為系統(tǒng)負(fù)載的參考值。步驟，將系統(tǒng)負(fù)載的阻值根公式轉(zhuǎn)換成等效負(fù)載的阻值，將其代入公式，公式中除系統(tǒng)能量傳輸效率和中繼線圈回路阻抗的虛部為未知數(shù)，其余均為給定的系統(tǒng)參數(shù)，對(duì)進(jìn)行求導(dǎo)，得到的點(diǎn)，選取結(jié)果中的小值。步驟。

8.額定電壓 160VAC