硅APD探測模塊 SPDSi
上海屹持光電單光子計數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm，可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi*的高性能主動抑制電路，可以實現(xiàn)連續(xù)的單光子探測，并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到優(yōu)秀狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%，暗計數(shù)200-2000 cps，死時間小于50 ns。
SPDSi標準型號的有效光敏探測面積最gao可達500 um，單光子計數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號，并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。
APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下，以獲得優(yōu)秀的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達±0.2 ℃。
技術(shù)特點：
高探測效率：65%@700 nm； 500 um光敏面積；
TTL數(shù)字信號輸出； 低暗計數(shù)；
低后脈沖； 低時間抖動；
應(yīng)用領(lǐng)域：
熒光測量； 激光測距；
量子通信； 光譜測量；
光子關(guān)聯(lián)； 自適應(yīng)光學；
Fig1. 量子效率 Fig2. Si單光子探測器
Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖
產(chǎn)品參數(shù)：
參數(shù)規(guī)格 參數(shù) | 值 | 單位 |
供電電壓*1 | 22 -28 | V |
供電電流 | 0.5 | A |
光譜響應(yīng)范圍 | 200 ----1060 | nm |
探測效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm |
2 65 45 3 | % |
暗計數(shù) | 200 -2000 | cps |
死時間 | 50 | ns |
后脈沖 | 3 - 8 | % |
時間抖動 | 300 - 500 | ps |
飽和計數(shù)率*2 | 10 | Mcps |
光敏面積 | 500 | um |
APD制冷溫度 | -20 | ℃ |
工作溫度 | -15 - +50 | ℃ |
輸出信號電平 | LVTTL | |
輸出信號脈寬 | 530 | ns |
門脈沖輸入電平 Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high |
0-0.4 2 -3.3 | V |
產(chǎn)品說明：
1. 不正確的電壓可能損壞模塊，應(yīng)保證接入電源不高于28V，并可提供足夠電流。
2. APD屬于高靈敏光電探測器件，在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強度，過高的光強可能損壞APD，這種損害可能降低APD的探測靈敏度，嚴重時甚至會造成二極管擊穿。
3. 在特殊的應(yīng)用場景下，應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃，過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升，從而引起暗計數(shù)水平升高。
4. SPDSi的默認死時間為50ns。死時間設(shè)定會影響模塊的最da計數(shù)率，當死時間設(shè)定在50ns時，最da計數(shù)率為10Mcps，如您的應(yīng)用對死時間設(shè)定有特別要求，請在訂購時與我們聯(lián)系。
5. 同樣，輸出信號的脈寬也會影響最da計數(shù)率，典型脈寬為30 ns，如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求，請在訂購時與我們聯(lián)系。
6. SPDSi支持空間和光纖接口接入。
單光子探測器選型：
