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半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流

參考價(jià)	￥ 1000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)S300B
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2023-06-19
訪問次數(shù)292

產(chǎn)品標(biāo)簽:

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試半導(dǎo)體器件IV掃描國(guó)產(chǎn)源表國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表

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武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。

普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái)，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展為道路，精益求精，堅(jiān)持不懈，努力將自身打造成行業(yè)B桿。

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源表,數(shù)字源表,脈沖源表,源測(cè)單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,脈沖LIV

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	售后保修期	12個(gè)月
銷售區(qū)域	全國(guó),華東,華南,華北,華中,東北,西南,西北,港澳臺(tái),海外	測(cè)試范圍	0～300V/0～3A
測(cè)試精度	0.03%	工作環(huán)境	25±10℃

實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流產(chǎn)品信息

半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

接下來我們重點(diǎn)介紹應(yīng)用Z廣泛的二極管、三極管及MOS管的特性及其電性能測(cè)試要點(diǎn)。

1、二極管

二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)щ娦栽骷?產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電二極管等,具有安全可靠等特性。

器件特性：結(jié)壓降、不能變，伏安特性要會(huì)看，正阻強(qiáng)大反阻軟，測(cè)量全憑它來管。

測(cè)試要點(diǎn)：正向壓降測(cè)試(VF)、反向擊穿電壓測(cè)試(VR)、C-V特性測(cè)試

2、三極管

三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

器件特性：三極管，不簡(jiǎn)單，幾個(gè)特性要記全，輸入輸出有曲線，各自不同有深淺。

測(cè)試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測(cè)試、極間反向電流測(cè)試、反向擊穿電壓測(cè)試(VR)、C-V特性測(cè)試

3、MOS管

MOSFET(金屬―氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓VGs(th)、漏電流lGss、lDss,擊穿電壓VDss、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDs等。

器件特性：箭頭向里，指向N，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管;箭頭向外，指向P，P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。

測(cè)試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測(cè)試、閾值電壓測(cè)試VGS(th)、漏電流測(cè)試、耐壓測(cè)試、C-V測(cè)試

所以，何為電性能測(cè)試？半導(dǎo)體分立器件該如何進(jìn)行電性能測(cè)試？

半導(dǎo)體分立器件電性能測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng),通傳統(tǒng)的分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬用表、電壓源、電流源等。

實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是“五合一”數(shù)字源表(SMU)，集多種功能于一體。

精準(zhǔn)、穩(wěn)定、高效的電性能測(cè)試方案可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具，大大提高測(cè)試效率。此外,基于核心的高精度數(shù)字源表，普賽斯還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具，實(shí)現(xiàn)安全、可靠的測(cè)試。

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，有關(guān)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流的更多信息上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢！