可根據(jù)需求將整個(gè)加工部分置入手套箱內(nèi)加工
根據(jù)不同場(chǎng)景的需求,配置納秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)波段光源;皮秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)、紫外(355nm)波段光源;飛秒脈寬的紅外光纖(1030nm)、綠光(515nm)波段光源進(jìn)行微精細(xì)激光刻蝕、劃線、構(gòu)造去除、劃片、表面剝離等應(yīng)用。
適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池激光刻蝕劃線應(yīng)用。
玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕,應(yīng)用于觸摸屏、光伏太陽(yáng)能電池、電至色玻璃等行業(yè)。
適用于導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對(duì)鈣鈦礦電池領(lǐng)域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽(yáng)電極激光刻蝕劃線技術(shù)上有獨(dú)到的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導(dǎo)入CAD 數(shù)據(jù)CCD相機(jī)定位自動(dòng)激光刻蝕,操作簡(jiǎn)單,方便快捷;采用通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)振鏡與直線電機(jī)、電動(dòng)升降工作臺(tái)的設(shè)計(jì),加上真空吸附托盤(pán)裝置,能有效地解決激光刻蝕加工運(yùn)行中的平穩(wěn)性。
設(shè)備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機(jī)電高技術(shù)于一體,具有高靈活性、高精度、高速度等*制造技術(shù)的特征。可大范圍內(nèi)進(jìn)行各種圖案,各種尺寸的精密、高速刻蝕,并且能夠保證很高的產(chǎn)能,是一個(gè)可靠、穩(wěn)定和具有高性能價(jià)格比的產(chǎn)品。
主要構(gòu)成:激光器、光路系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)、電控制系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、抽塵系統(tǒng)、真吸附空系統(tǒng)、大理石龍門(mén)結(jié)構(gòu)、鈑金結(jié)構(gòu)件等。
型號(hào) | 納秒紅外 ET650MIR | 納秒綠光ET200MG | 皮秒綠光/紫外 ET300MPS | 飛秒紅外 ET300IRFS | 實(shí)驗(yàn)室用刻蝕機(jī) ET200MIR | ||||
激光器 | 1064nm | 532nm | 532/355nm | 1030nm | 1064nm | ||||
波長(zhǎng)/功率 | 20/30W | 5/10W | 10/15/30W | 20W | 20W | ||||
加工尺寸 | 100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選 可定制加工幅面 | 110*110/140*140/ 200*200mm可選 | |||||||
激光器頻率 | 1-2000KHz | 30-150KHz | 1-1000KHz | 25-5000KHz | 1-2000KHz | ||||
振鏡 | 10/14mm通光孔徑 | 10mm通光孔徑 | |||||||
聚焦鏡 | 40*40/70*70/110*110mm幅面(根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景選擇) | 100-200mm可選 | |||||||
擴(kuò)束鏡 | 2X | 8X/10X | 1.5X | ||||||
聚焦光斑 | <30μm | <30μm | <10μm | <50μm | |||||
最小線寬 | <30μm | <30μm | <10μm | <50μm | |||||
可根據(jù)需要可全部去除鍍層材料,如P4清邊處理 | |||||||||
最小線間距 | <30μm | <30μm | <10μm | <50μm | |||||
整機(jī)精度 | ±15μm | / | |||||||
適用類(lèi)型 | 均可兼容對(duì)柔性基底及玻璃基底表面材料處理 | ||||||||
Z軸電機(jī)行程 | 50mm(自動(dòng)軟件控制) | 手動(dòng)500mm | |||||||
工作臺(tái)定位精度 | ±3μm | / | |||||||
工作臺(tái)重復(fù)精度 | ±1μm | / | |||||||
CCD相機(jī)定位精度 | ±3μm | / | |||||||
刻蝕速度 | 刻蝕速度4000mm/s(單線) | ||||||||
設(shè)備尺寸/重量 | 1200*1200*1700mm(200*200mm幅面內(nèi)) 約1000Kg 大尺寸及雙光路 1550*1450*1750mm(600*600mm幅面內(nèi)) 約1800Kg | 1050*700*1660mm(L*W*H) 約300Kg | |||||||
設(shè)備功耗 | <2500W | <3000W | <1500W | ||||||
設(shè)備文件格式 | 標(biāo)準(zhǔn)CAD DXF文件 | DXF/PLT/JPG等 | |||||||
對(duì)比 | 用于P1導(dǎo)電層ITO/FTO單層材料處理,部分材料刻處理多層,特別是對(duì)清邊處理具有速度優(yōu)勢(shì) | 相比較于納秒紅外可對(duì)P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線,可對(duì)ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線 | 相比較于納秒紅外可對(duì)P1/P2/P3/ P4刻蝕劃線,可對(duì)ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線。優(yōu)勢(shì)在刻蝕下一層對(duì)上一層的損傷小,刻蝕邊緣影響小,火山口小 | 與皮秒脈寬波段相似,根據(jù)不同的場(chǎng)景選擇 | 只能針對(duì)單層材料刻蝕,可根據(jù)需要定制小型化產(chǎn)品幅面100-200mm | ||||
備注:量產(chǎn)后一般采用多種波段激光配合使用,非單臺(tái)機(jī)器完成所有膜層制作。 | |||||||||