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NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)那諾—馬斯特中國(guó)有限公司
品牌
型號(hào)
所在地國(guó)外
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2022-12-07
訪問(wèn)次數(shù)391

產(chǎn)品標(biāo)簽:

pecvd設(shè)備 ICPECVD 等離子體化學(xué)氣相沉積

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

那諾-馬斯特中國(guó)有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國(guó)大陸，香港，中國(guó)臺(tái)灣和澳門(mén))的客戶(hù)，同時(shí)我們?cè)谥袊?guó)大陸設(shè)有專(zhuān)門(mén)的服務(wù)辦公室，提供銷(xiāo)售和售后技術(shù)服務(wù)。

那諾-馬斯特中國(guó)的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國(guó)，該公司是法國(guó)那諾-馬斯*限公司于1992年在美國(guó)所創(chuàng)立的全資子公司，是一家國(guó)ji領(lǐng)xian的缺陷檢測(cè)和高速鍍層測(cè)量的計(jì)量公司。自從1993年開(kāi)始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國(guó)并正式更名。

自2001年Nano-Master開(kāi)始設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類(lèi)金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長(zhǎng)的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全qiu薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國(guó)家的大學(xué)、研發(fā)中心和國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員，使得公司擁有yi流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商，我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持zui高水平的集成度。

展開(kāi)顯示更多內(nèi)容

ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，熱真空試驗(yàn)，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢(xún)價(jià)

產(chǎn)地	進(jìn)口	售后保修期	12個(gè)月
銷(xiāo)售區(qū)域	全國(guó)

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電J或中空陰J射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)S.樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜z大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電J或中空陰J射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)S.樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰J等離子源使得系統(tǒng)可以滿(mǎn)足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。