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NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)

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公司名稱那諾—馬斯特中國有限公司
品牌
型號
所在地國外
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間 2022-11-09
訪問次數(shù)402

產(chǎn)品標(biāo)簽:

ald原子層沉積原子層沉積設(shè)備原子層沉積系統(tǒng)薄膜沉積系統(tǒng)

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公司介紹主營產(chǎn)品

那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸，香港，中國臺灣和澳門)的客戶，同時我們在中國大陸設(shè)有專門的服務(wù)辦公室，提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。

那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國，該公司是法國那諾-馬斯*限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司，是一家國ji領(lǐng)xian的缺陷檢測和高速鍍層測量的計量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。

自2001年Nano-Master開始設(shè)計開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全qiu薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員，使得公司擁有yi流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商，我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持zui高水平的集成度。

展開顯示更多內(nèi)容

ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，熱真空試驗(yàn)，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD

產(chǎn)品簡介在線詢價

產(chǎn)地	進(jìn)口	售后保修期	12個月
銷售區(qū)域	全國

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足較精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足較精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)特點(diǎn)：NLD-4000是一款獨(dú)立的PC計算機(jī)控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶shou權(quán)保護(hù)功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計，并提供了強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。NLD-4000系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達(dá)7個50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時帶有N2或者Ar作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)選配：NLD-4000系統(tǒng)的選配項(xiàng)包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強(qiáng)的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用：