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    產(chǎn)品|二手機(jī)|公司|采購|資訊

    NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

    參考價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 公司名稱那諾—馬斯特中國有限公司
    • 品       牌
    • 型       號(hào)
    • 所  在  地國外
    • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間 2022-11-09
    • 訪問次數(shù)307

    那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月,是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸,香港,中國臺(tái)灣和澳門)的客戶,同時(shí)我們?cè)谥袊箨懺O(shè)有專門的服務(wù)辦公室,提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。


    那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國,該公司是法國那諾-馬斯*限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司,是一家國ji領(lǐng)xian的缺陷檢測(cè)和高速鍍層測(cè)量的計(jì)量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。


    自2001年Nano-Master開始設(shè)計(jì)開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備,正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD,用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD,濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺),熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā),離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕,原子層沉積,兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全qiu薄膜設(shè)備的供應(yīng)商,已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。


    我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員,使得公司擁有yi流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商,我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持zui高水平的集成度。



    ALD,PECVD,RIE,磁控濺射,熱蒸鍍,電子束,離子束,熱真空試驗(yàn),晶圓清洗機(jī),PA-MOCVD
    產(chǎn)地 進(jìn)口 售后保修期 12個(gè)月
    銷售區(qū)域 全國
    NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí),旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)
    NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

    NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí),旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。


    NIE-4000.png


    NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn):

    • 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

    • 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板

    • 離子束中和器

    • 氬氣MFC

    • 6"水冷樣品臺(tái)

    • 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,真空步進(jìn)電機(jī)

    • 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜

    • 手動(dòng)或自動(dòng)上下載晶圓片

    • 典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min

    • 6"范圍內(nèi),刻蝕均勻度+/-3%

    • J限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別(配套500 l/s渦輪分子泵)

    • 配套1000 l/s渦輪分子泵,J限真空可達(dá)8x10-8Torr

    • 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

    • 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

    • 菜單驅(qū)動(dòng),4級(jí)密碼訪問保護(hù)

    • 完整的安全聯(lián)鎖


    關(guān)鍵詞:步進(jìn)電機(jī)
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