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NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱那諾—馬斯特中國有限公司
品牌
型號
所在地國外
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2022-11-18
訪問次數(shù)786

產(chǎn)品標(biāo)簽:

icp刻蝕刻蝕機(jī)刻蝕設(shè)備

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公司介紹主營產(chǎn)品

那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸，香港，中國臺灣和澳門)的客戶，同時(shí)我們在中國大陸設(shè)有專門的服務(wù)辦公室，提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。

那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國，該公司是法國那諾-馬斯*限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司，是一家國ji領(lǐng)xian的缺陷檢測和高速鍍層測量的計(jì)量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。

自2001年Nano-Master開始設(shè)計(jì)開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全qiu薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員，使得公司擁有yi流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商，我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持zui高水平的集成度。

展開顯示更多內(nèi)容

ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，熱真空試驗(yàn)，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	進(jìn)口	售后保修期	12個(gè)月
銷售區(qū)域	全國

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)主要特點(diǎn)：

基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力；
配套Lab View軟件，菜單驅(qū)動(dòng)，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)；
觸摸屏監(jiān)控；
全自動(dòng)系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；
四級權(quán)限，帶密碼保護(hù)；
手動(dòng)上下載片；
可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式；
實(shí)時(shí)顯示真空、功率、反射功率圖表，以及流量實(shí)時(shí)顯示；

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)配置內(nèi)容：

外觀尺寸：緊湊型立柜式設(shè)計(jì)，不銹鋼腔體，外觀尺寸為44”(W) x 26”(L) x62”(H)；
等離子源：NM-ICP平面電感耦合等離子體源，帶有自動(dòng)調(diào)諧器，激活面積可以達(dá)到8”；
處理腔體：13”的圓柱形超凈腔體，材質(zhì)為陽J電鍍鋁。晶片通過氣動(dòng)頂蓋裝載，腔體帶有上載安全鎖，用戶可以通過PC控制，至多可以裝載8個(gè)小尺寸基片，可支持的晶圓尺寸為8”。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。
樣品臺：6”的托盤夾具，能夠支持6”的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)），并采用He氣實(shí)現(xiàn)背部冷卻和自動(dòng)鎖緊，微精細(xì)地控制He氣流量，包含氣動(dòng)截止閥；
流量控制：支持6個(gè)或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蝕，帶氣動(dòng)截止閥，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動(dòng)閥控制，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計(jì)，從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后，采用N2自動(dòng)沖洗。
真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
RF電源：13.56MHz，帶自動(dòng)調(diào)諧功能的1200W射頻電源，作為ICP源。另外，帶自動(dòng)調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
操作控制：整個(gè)系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)PC全自動(dòng)控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動(dòng)式的，都可PC控制。系統(tǒng)的實(shí)時(shí)壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級權(quán)限控制。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域：