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    產(chǎn)品|二手機(jī)|公司|采購|資訊

    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

    參考價面議
    具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 公司名稱那諾—馬斯特中國有限公司
    • 品       牌
    • 型       號
    • 所  在  地國外
    • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
    • 更新時間 2022-11-09
    • 訪問次數(shù)335

    那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月,是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸,香港,中國臺灣和澳門)的客戶,同時我們在中國大陸設(shè)有專門的服務(wù)辦公室,提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。


    那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國,該公司是法國那諾-馬斯*限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司,是一家國ji領(lǐng)xian的缺陷檢測和高速鍍層測量的計(jì)量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。


    自2001年Nano-Master開始設(shè)計(jì)開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備,正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD,用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD,濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺),熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā),離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕,原子層沉積,兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全qiu薄膜設(shè)備的供應(yīng)商,已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。


    我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員,使得公司擁有yi流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商,我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持zui高水平的集成度。



    ALD,PECVD,RIE,磁控濺射,熱蒸鍍,電子束,離子束,熱真空試驗(yàn),晶圓清洗機(jī),PA-MOCVD
    產(chǎn)地 進(jìn)口 售后保修期 12個月
    銷售區(qū)域 全國
    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8“ ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。
    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕 產(chǎn)品信息


    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。


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    NDR-4000(A)全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn):

    • 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng),擁有高縱橫比的刻蝕能力;

    • 配套Lab View軟件,菜單驅(qū)動,自動記錄數(shù)據(jù);

    • 觸摸屏監(jiān)控;

    • 全自動系統(tǒng),帶安全聯(lián)鎖;

    • 四級權(quán)限,帶密碼保護(hù);

    • 自動上下載片;

    • 帶Load Lock預(yù)真空鎖;

    • He氣背面冷卻,-60攝氏度的低溫樣品夾具;

    • 高達(dá)-1000V的外部偏壓;

    • 渦輪分子泵 + 渦旋干泵;

    • 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式;

    • 實(shí)時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實(shí)時顯示;


    配置內(nèi)容:

    • 外觀尺寸:緊湊型立柜式設(shè)計(jì),不銹鋼腔體,外觀尺寸為28”(W) x 42”(L) x64”(H);

    • 等離子源:NM ICP平面等離子源,帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng)。等離子源安裝在腔體頂部,通過ISO250的法蘭連接;

    • 處理腔體:13”圓柱形鋁質(zhì)腔體,自動上下載片,至大支持6”(可以升級腔體支持更大基片)。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。

    • 樣品臺:6”的托盤夾具,能夠支持6”的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度(包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)),并采用He氣實(shí)現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊,微精細(xì)地控制He氣流量,包含氣動截止閥;

    • 流量控制:支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計(jì),從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后,采用N2自動沖洗。

    • 真空系統(tǒng):泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

    • RF電源:13.56MHz,帶自動調(diào)諧功能的1000W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。

    • 操作控制:整個系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統(tǒng)的實(shí)時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級權(quán)限控制。



    關(guān)鍵詞:電磁閥 截止閥

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