- 01適用多種晶圓
適用于4—8英寸原片、襯底、外延片及無圖形晶圓
- 02可檢測多種缺陷
檢測顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點、裂紋等缺陷
- 03分辨精度高
系統(tǒng)分辨率:1-10μm
- 04檢測速度快
無圖形晶圓:缺陷數(shù)量在200個以內(nèi)的情況下,180秒/片
項目 | 主要技術參數(shù) | |
常規(guī)參數(shù) | Wafer尺寸 | 標配4" , 6"(可擴展4"-8") |
料盒數(shù)量 | 雙層, 14 pcs | |
上下料方式 | 機械手, Mapping掃描 | |
運動平臺 | Y行程 350mm,重復精度 10μm Z行程 8mm,重復精度 5μm | |
產(chǎn)能 | 4" , 140WPH 6" , 120WPH | |
檢測性能 | 檢測精度 | 7 μm |
相機 | 高分辨率工業(yè)相機 | |
鏡頭 | 高清工業(yè)鏡頭 | |
光源 | 光源 | |
使用環(huán)境 | 供電規(guī)格 | AC220V, 50Hz |
氣源要求 | 0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣, 無明顯水汽和油脂 | |
設備重量 | 溫度15-40℃, 濕度要求30%-70%, 無凝霜 | |
整機尺寸 | 1800mm*1300mm*2250mm |