- 01可適用多種尺寸
本設(shè)備可適用于4—8英寸有圖形晶圓
- 02可檢測多種缺陷
檢測劃傷、背崩、色差、開裂、劃偏、金屬殘留、金屬缺失等缺陷
- 03高精度分辨
系統(tǒng)分辨率:0.2-0.8μm
- 04檢測速度快
有圖形晶圓:缺陷數(shù)量在200個以內(nèi)的情況下,15分鐘/片
項目 | 主要技術(shù)參數(shù) | ||
常規(guī)參數(shù) | Wafer尺寸 | 4" , 6"(帶藍膜鐵框 ) | |
料盒數(shù)量 | 2 pcs | ||
上下料方式 | 機械手, Mapping掃描 | ||
運動平臺 | X行程200mm,重復(fù)精度10μm Y行程45mm,重復(fù)精度10μm Z行程15mm,重復(fù)精度5μm | ||
產(chǎn)能 | 4" , 25WPH 6" , 20WPH | ||
檢測性能 | 檢測精度 | 3 μm | |
相機 | 高分辨率工業(yè)相機 | ||
鏡頭 | 顯微鏡頭 | ||
光源 | 光源 | ||
缺陷標(biāo)記 | 自動打點 | ||
使用環(huán)境 | 供電規(guī)格 | AC220V, 50Hz | |
氣源要求 | 0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣, 無明顯水汽和油脂 | ||
設(shè)備重量 | 溫度15-40℃, 濕度要求30%-70%, 無凝霜 | ||
整機尺寸 | 2000mm*1200mm*2250mm |