產(chǎn)品說(shuō)明
TM3B熱物性顯微鏡主要應(yīng)用於半導(dǎo)體等薄膜材料熱滲透率測(cè)試，使用點(diǎn)雷射對(duì)樣品實(shí)施周期性加熱方式，屬於非接觸式方法測(cè)試材料熱擴(kuò)散率， 薄膜厚度在數(shù)百奈米亦可測(cè)試，點(diǎn)雷射方式可以精準(zhǔn)掌握材料Z軸導(dǎo)熱狀態(tài)，搭配XY電控平臺(tái)記錄每個(gè)座標(biāo)點(diǎn)之熱傳導(dǎo)率，專(zhuān)用分析軟體3D可視化解析材料熱傳導(dǎo)率面積分佈圖，有助於判定熱傳導(dǎo)缺陷
TM3B系列熱擴(kuò)散率測(cè)試儀器可測(cè)試實(shí)體樣品廣泛之材料，如 氧化鋁(Al2O3)， 碳化矽(SiC)，氮化鋁(AlN)，或砷化鎵(GaAs)表面鍍金(Au)之電極凸塊...等
本儀器除了同方向熱擴(kuò)散率有優(yōu)異的表現(xiàn)外，異方向熱擴(kuò)散率測(cè)定評(píng)價(jià)也可進(jìn)行
特色
- Sub micron 以上之薄膜熱擴(kuò)散率測(cè)試
- 雷射加熱方式非接觸樣品
- 樣品尺寸不必規(guī)格化, 30x30x3mm以下
- 搭配XYZ載臺(tái)可連續(xù)測(cè)試並圖像化
- PI, SiC, AlN, Al2O3, Au, ...等各種薄膜材料測(cè)試
- 追加功能：熱浸透率(b)、體積熱容量(C)、熱傳導(dǎo)率(λ)
規(guī)格
薄膜材料熱擴(kuò)散量測(cè) TM3B
| 模式 | 熱物性分佈測(cè)量（線(xiàn)，2D，點(diǎn)） |
|---|---|
| 測(cè)量 | 熱擴(kuò)散，（熱容），（熱導(dǎo)） |
| 點(diǎn)大小 | 大約3[µm] |
| 測(cè)量時(shí)間 | 10秒一個(gè)點(diǎn) |
| 厚度 | 亞微米至µm |
| 重複精度 | 在耐熱玻璃以及矽中的熱擴(kuò)散率誤差±10% |
| 樣品 | 支架尺寸 : 30 X 30 X 5[mm] 樣品尺寸: 小於30 X 30 X 3[mm] 樣品表面必需拋光 樣品表面必需用鉬濺鍍 |
| 使用溫度 | 20±1[°C]（感測(cè)器在系統(tǒng)中） |
| XY載臺(tái)位移 | X軸20[mm]，Y軸20[mm]，Z軸4[mm] |
| 加熱雷射 | 雷射二極體 808[nm] |
| 探測(cè)雷射 | 雷射二極體 633[nm] |
| 電源消耗 | 交流100[V]-1.5[kVA] |
| 配件 | 樣品支架，參考樣品 |
| 選配 | 選配桌，空調(diào)設(shè)備，空調(diào)房，濺鍍?cè)O(shè)備 |
| 主體 | 外部尺寸：730(W) X 620(D) X 560(H)[mm]，重: 80[kg] |
| 電源箱 | 外部尺寸：620(W) X 480(D) X 310(H)[mm]，重: 26.4[kg] |
