通用高精度數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，相比2400，B2901進(jìn)口源表，測(cè)量范圍更廣，電壓高300V，電流低至100pA；可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場(chǎng)景。
源表特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載，又能測(cè)；
高效率：滿足多種測(cè)試需求；
可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等
測(cè)試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷骸⒄螂娏鳌⒎聪驌舸╇妷骸⒎聪蚵╇娏?/span> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
S系列源表特點(diǎn)：
5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA
豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1、 多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性，電壓高300V，電流低至100pA；
2、 實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率。
3、 具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能，可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；
精確的電壓電流限制功能，為器件提供完善的保護(hù)功能，避免器件損壞。
4、 觸屏圖形化操作，使用簡(jiǎn)單。開放式平臺(tái)，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開發(fā)軟件。
國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求；
2、性價(jià)比高；
3、可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)。
