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    產(chǎn)品|二手機(jī)|公司|采購(gòu)|資訊

    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    參考價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 公司名稱(chēng)武漢普賽斯儀表有限公司
    • 品       牌其他品牌
    • 型       號(hào)PMST-3000V
    • 所  在  地武漢市
    • 廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
    • 更新時(shí)間 2022-02-24
    • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)635

    武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。

           普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶(hù)提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶(hù)構(gòu)建自定決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿(mǎn)足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

           武漢普賽斯將以服務(wù)客戶(hù)為中心,追求可持續(xù)發(fā)展為道路,精益求精,堅(jiān)持不懈,努力將自身打造成行業(yè)B

    源表,數(shù)字源表,脈沖源表,源測(cè)單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,脈沖LIV
    產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 售后保修期 12個(gè)月
    銷(xiāo)售區(qū)域 全國(guó),華東,華南,華北,華中,東北,西南,西北,港澳臺(tái),海外 單臺(tái)PW 高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián)
    CW 高達(dá)3000V/100mA 最小分辨率 30uV/10pA
    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備
    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

    IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車(chē)、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。


    IGBT測(cè)試難點(diǎn):

    1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

    2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

    3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

    4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。

    5、MOSFET的電容曲線(xiàn)是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

    6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。


    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。


    那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢?

    E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V輸出及測(cè)量電流0~100mA支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式

    用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線(xiàn)電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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    E300高電壓源測(cè)單元


    HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

    設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。

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    HCPL100型高電流脈沖電源


    P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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    P系列脈沖源表

    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

    功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

     

    產(chǎn)品特點(diǎn)

    • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

    • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

    • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

    • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù);

    • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

    • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

    • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

    • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

    • 可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);

       

      技術(shù)指標(biāo)

    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用


         功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN



    關(guān)鍵詞:變頻器

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