主要特點(diǎn):
設(shè)備特點(diǎn):
適用于4-6英寸基底LED硅芯片/藍(lán)寶石芯片生產(chǎn)中的光刻工藝,采用超大曝光視場(chǎng),大大減少曝光次數(shù),顯著提高產(chǎn)能;同時(shí)該設(shè)備具有高分辨率、高線寬均勻性等特點(diǎn)。
主要參數(shù):
主要參數(shù) | 加工尺寸 | 4”、6“晶圓 |
加工速度 | 4", 137pcs/h 6", 110pcs/h | |
加工精度 | 分辨率2μm L/S | |
平臺(tái)參數(shù) | 定位精度 X: ±200nm Y: ±200nm Z: ±350nm Rx Ry Rz:10urad | |
激光器參數(shù) | 光源:2000W UV Lamp,波長(zhǎng)365nm 感光區(qū)域:53*38.5mm 工作照度:>550mW/cm2(New lamp) 光源均勻度:≤3% | |
Tact time | 4”:43.1秒(片),循環(huán)TT 25.6秒 6”:49.1秒(片),循環(huán)TT 31.6秒 | |
稼動(dòng)率 | >95% |
加工效果: