二三極管IV曲線掃描儀器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300V，支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案，及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)
一、 二極管IV曲線掃描需要幾臺(tái)數(shù)字源表？搭建方案示意圖？
①、如果客戶二極管Z高測(cè)試電壓低于300V，使用一臺(tái)源表即可；
②、如果客戶二極管Z高測(cè)試電壓高于300V，則需要使用高壓程控電源（需向第三方購買）、過壓保護(hù)模塊（我司已研發(fā)）、直流源表進(jìn)行該測(cè)試；
二、 三極管IV曲線掃描需要幾臺(tái)源表？搭建方案示意圖？
①、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間，一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間，一臺(tái)加在漏極與源極之間；需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用，或使用插卡式直流源表；
②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V，基于Z高性價(jià)比考慮，其中一臺(tái)使用S100即可，另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定；
二三極管IV曲線掃描儀器特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA
豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
技術(shù)參數(shù)
Z大輸出功率：30W，4象限源或肼模式；
源限度：電壓源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；
電流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；
過量程： 105%量程，源和測(cè)量；
穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；
寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；
線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏移<80uV；
Z大采樣速率：1000 S/s；
觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置；
輸出接口：前后面板香蕉頭插座輸出，同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口；
通信口：RS-232、GPIB、以太網(wǎng)；
電源：AC 100~240V 50/60Hz；
工作環(huán)境：25±10℃；
尺寸：106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng)；
二三極管IV曲線掃描儀器應(yīng)用
•分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
•能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
•傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
•有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
•納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等
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