MIPO光纖激光打標機
光纖激光打標機
高功率激光系統(tǒng)和核聚變研究 1964年王淦昌*立提出激光聚變倡議，1965年立項開始研究。經(jīng)幾年努力，建成了輸出功率10（上標10）瓦的納秒級激光裝置，并于1973年5月在低溫固靶、常溫化鋰靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我國一臺多程片狀放大器，把激光輸出功率提高了10倍，中子產(chǎn)額增加了一個量級。在*上向心壓縮原理后，積*跟蹤并于1976年研制成六束激光系統(tǒng)，對充氣玻殼靶照射，獲得了近百倍的體壓縮。這一系列的重大突破，使我國的激光聚變研究進入世界**行列，也為以后長期的持續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
激光研究 1966年12月，科委主持召開了激光規(guī)劃會，48個單位130余人參加，會議**了包括含15種激光整機、9種支撐配套技術(shù)的發(fā)展規(guī)劃。雖未正式批準生效，但仍起了有益的推動作用。此后的幾年內(nèi)，這一領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批重要成果。
MIPO光纖激光打標機
*的原理是兩種：
“熱加工”具有較高能量密度的激光束（它是集中的能量流），照射在被加工材料表面上，材料表面吸收激光能量，在照射區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生熱激發(fā)過程，從而使材料表面（或涂層）溫度上升，產(chǎn)生、熔融、燒蝕、蒸發(fā)等現(xiàn)象。
“冷加工”具有很高負荷能量的（紫外）光子，能夠打斷材料（特別是有機材料）或周圍介質(zhì)內(nèi)的化學鍵，至使材料發(fā)生非熱過程破壞。這種冷加工在激光標記加工中具有特殊的意義，因為它不是熱燒蝕，而是不產(chǎn)生"熱損傷"副作用的、打斷化學鍵的冷剝離，因而對被加工表面的里層和附近區(qū)域不產(chǎn)生加熱或熱變形等作用。例如，電子工業(yè)中使用在基底材料上沉積化學物質(zhì)薄膜，在半導體基片上開出狹窄的槽。
采用國際上*的激光泵浦技術(shù)，直接從激光晶體的端面將半導體泵浦光（808nm）泵入，經(jīng)光學鏡組輸出產(chǎn)生激光，再經(jīng)過高速掃描振鏡系統(tǒng)實現(xiàn)打標功能。該產(chǎn)品具有短脈沖、高峰值功率、高光束質(zhì)量、輸出光斑小，打標精細、激光效率高、整機性能穩(wěn)定等特點，在金屬加工領(lǐng)域有著極*的表現(xiàn)，同時適用于多種非金屬材料，如ABS、尼龍、PES、PVC等。對于一些要求更精細、精度更高的場合，其表現(xiàn)尤為突出，諸如電子元器件、塑料按鍵、集成電路、電工電器和通訊產(chǎn)品等行業(yè)。
