產(chǎn)品名稱: CMOS-RAM內(nèi)存卡
型號: C200H-MR431
cmos-ram單元:內(nèi)置備用電池。
UM:3K字;
DM:1K字。
CPU有一個安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM,請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前,先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲器盒從CPU上拆下,不會丟失它的數(shù)據(jù)。
DM:1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM,請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前,先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)歐姆龍C200H-MR431。
若將EPROM存儲器盒從CPU上拆下,不會丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作C200H-MR431
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒。輸出點數(shù):12點、漏型。
額定電壓:DC24V。
大負(fù)載電流:0.3A。
外部接線:拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架:可以。
占用單元數(shù):1CH歐姆龍C200H-MR431。
標(biāo)準(zhǔn):U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運動控制單元、雙軸高速計數(shù)器單元、8點模擬量I/O單元,
4點模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個增加到16個,
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能,
正確組合特殊I/O單元可以容易地對被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理歐姆龍C200H-MR431。
可實現(xiàn)智能I/O讀寫指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛的強(qiáng)有力的PC。I/O插槽數(shù):3槽,I/O模塊安裝在擴(kuò)展底板上歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
除了CPU中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)上位機(jī)鏈接端口外,
在CPU上還可安裝一塊有6種類型可供選擇的通信板,
這些任選通信板為SYSMAC LINK或SYSMAC NET單元的連接,
為了與調(diào)制解調(diào)器/可編程終端、條形碼讀入器、溫度控制器
或任何一種帶RS-232C/RS-422設(shè)備的通信提供了簡捷的途徑歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
過去,PC連接一個測量設(shè)備或元器件必須要給ASCII單元或BASIC單元編寫一個通信程序。
而今,C200HX/HG/HE PC裝上通信協(xié)議宏功能,
能將這些通信程序通過PMCR指令配置到梯形圖程序中,
用這個功能系統(tǒng)可以方便地與各種各樣的元器件相連歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
點數(shù):4點。
信號范圍選擇:4點通用。
信號范圍:熱電偶K、J。
轉(zhuǎn)換速度:4.8s以下(4點/單元設(shè)定時)。
外部連接:可拆卸端子塊。
溫度傳感器單元多可變換從4個熱電偶或鉑熱電阻傳來的溫度信號為4位BCD碼,直接輸入PC。
冷端補(bǔ)償回路(對熱電偶)由C200H-TS001/TS002的端子B4和B5提供,
其精度連同該單元一起調(diào)整。回路數(shù):2回路。
測定值輸入:電壓輸入/電流輸入(4~20mA、 1~5V、 0~5V、 0~10V)。
控制輸出:電流輸出(線性)。
在的輸入范圍4-20mA或1-5mV內(nèi)可進(jìn)行兩路PID控制,
并可進(jìn)行晶體管、電壓或電流的輸出控制。
梯形圖可控制內(nèi)存中設(shè)定單元的分配字,
來進(jìn)行開/停操作,設(shè)定目標(biāo)值,讀取過程值或進(jìn)行其他操作。
支持兩個回路的PIDD(兩點自由設(shè)定)控制或開關(guān)控制C200H-MR431。
直接輸入模擬量信號。
集電極開路,電電壓、電流輸出歐姆龍C200H-MR431。
采樣周期:100ms。
運行/開始控制。
支持手動輸出。
每個回路可設(shè)定兩個報警器。
可記錄設(shè)定值、報警值和PID參數(shù)等8個值。
可設(shè)置數(shù)字濾波器以消除輸入的快速改變。
連接數(shù)據(jù)設(shè)定器。