用于雙CPU雙I/O擴(kuò)展系統(tǒng)，4個(gè)位。
實(shí)現(xiàn)高可靠性的基于PLC的雙過程控制系統(tǒng)。
可以創(chuàng)建各種系統(tǒng)配置，
例如使用帶內(nèi)置回路控制板(LCB)功能的CS1D過程控制CPU單元的雙CPU系統(tǒng)，
或使用安裝于CS1D CPU單元內(nèi)插板凹槽的回路控制板的單CPU歐姆龍CS1W-BI053。
您可以保留通用PLC基礎(chǔ)的開放性和高性價(jià)比，
同時(shí)以等效于DCS的一些功能和性能的過程控制功能和可靠性來擴(kuò)展PLC控制范圍CS1W-BI053用于CS系列作為主站或從站的功能。2048個(gè)I/O點(diǎn)。
可實(shí)現(xiàn)每個(gè)主站控制多達(dá)32,000點(diǎn)（2,000字），
并且確保數(shù)據(jù)的高度同步性歐姆龍CS1W-BI053。
可同時(shí)用作主站和從站。
配備旨在改善設(shè)計(jì)和啟動(dòng)效率的設(shè)置和功能。
通過與配置器組合使用實(shí)現(xiàn)高的性能。
主站和從站設(shè)置的文件可使用存儲(chǔ)卡上傳及下載，
從而實(shí)現(xiàn)有效的調(diào)試并且更易于設(shè)置。用于雙CPU雙I/O擴(kuò)展系統(tǒng)，8個(gè)位。
實(shí)現(xiàn)高可靠性的基于PLC的雙過程控制系統(tǒng)。
可以創(chuàng)建各種系統(tǒng)配置，
例如使用帶內(nèi)置回路控制板(LCB)功能的CS1D過程控制CPU單元的雙CPU系統(tǒng)，
或使用安裝于CS1D CPU單元內(nèi)插板凹槽的回路控制板的單CPU歐姆龍CS1W-BI053。
您可以保留通用PLC基礎(chǔ)的開放性和高性價(jià)比，
同時(shí)以等效于DCS的一些功能和性能的過程控制功能和可靠性來擴(kuò)展PLC控制范圍歐姆龍擴(kuò)展底板。8槽，可以安裝8個(gè)模塊，不含CPU和電源。
C200H系列PLC模塊和CS系列PLC的模塊都可以用。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求歐姆龍擴(kuò)展底板。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)72個(gè)元和7個(gè)裝置)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I/O單元和CS1 CPU總線單元可安裝在裝置中的任意位置，
且無需滿足特殊遠(yuǎn)程編程要求即可進(jìn)行編程歐姆龍擴(kuò)展底板。
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
開關(guān)容量：DC24V，0.5 A，源型。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新CS1W-BI053。
但是，借助新CS1，通過使用用DLNK指令，可立即刷新I/O歐姆龍CS1W-BI053。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。