10μm高精度檢測※,CMOS型微型激光位移傳感器HG-C誕生!
※HG-C1030(-P)的情況
CE 、FDA 已取得。
CE : EMC指令(HG-C1050L(-P) 除外)
FDA : HG-C1050L(-P)除外
2016年6月 增加模擬電流輸出。
關(guān)于模擬輸出,“模擬電壓輸出”“模擬電流輸出”可任選其一。(HL-C1050L(-P)除外)
特點
配備0~5V的模擬電壓輸出※2
用測距傳感器規(guī)定測定值
? 直線性:±0.1%F.S.※1
? 溫度特性:0.03%F.S./℃
※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情況
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※2 :從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始,也可選擇模擬電流輸出選項。(HL-C1050L(-P)除外)
<緊湊>
形狀達(dá)到業(yè)內(nèi)小型級別※的CMOS激光傳感器 (※2015年5月,根據(jù)本公司調(diào)查)
設(shè)計出內(nèi)部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統(tǒng) |
采用鋁鑄外殼,使機(jī)身免受變形和溫度的困擾 |
<占優(yōu)勢的穩(wěn)定檢測>
實現(xiàn)1/100mm的高精度檢測
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配備便利的功能
教導(dǎo)&窗口比較模式
存在檢測物體的狀態(tài)下,只需按下 “TEACH”鍵,即可簡單地設(shè)定基準(zhǔn)值。另外,在2個基準(zhǔn)值范圍內(nèi)即判為OK,超出范圍即判為NG,1個輸出即可做出判定。
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除教導(dǎo)&窗口比較模式外,還配備有[上升沿微分模式]、[下降沿微分模式]以及[通常檢測模式]。 在通常檢測模式下,可使用基本教導(dǎo)方法中的“2點教導(dǎo)”,存在微小物體和背景物體的情況下, 還可使用便捷的[限位教導(dǎo)]。 |
設(shè)定定時功能
可設(shè)定定時器的動作:“OFF延遲定時器”、“ON延遲定時器”、“單觸式定時器”、“無定時器”。定時時間固定為5ms。OFF延遲定時器 |
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峰值、谷值保持功能
配備有峰值保持功能或者谷值保持功能。峰值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的值,顯示并輸出保持值。
谷值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的最小值,顯示并輸出保持值。
※不能同時設(shè)定峰值保持功能和谷值保持功能。
※設(shè)定峰值保持功能或者谷值保持功能時,如執(zhí)行調(diào)零功能,則會使所保持的測量值復(fù)位。
基準(zhǔn)值微調(diào)功能
可在測量畫面中微調(diào)基準(zhǔn)值。教導(dǎo)后,也可對基準(zhǔn)值進(jìn)行微調(diào)。按鍵鎖定功能
可使按鍵操作失效,以免錯誤地更改已設(shè)定的條件。※關(guān)于其他功能以及各功能的設(shè)定步驟,請參照「使用注意事項 PRO模式設(shè)定」。
微晶石平整度檢測新利器[HG-C1050L]
陶瓷行業(yè)特別推薦
專用方式,有效區(qū)分表層(透明)與底層(非透明)平面,準(zhǔn)確測量表層的平整度。搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式,實現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測。雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA~20mA輸出,模擬電壓0V~5V輸出,兩種輸出方式可切換,用戶按需選擇。(默認(rèn):模擬電流輸出)種類
種類 | 形狀 | 測量中心距離 和測量范圍 | 重復(fù) 精度 | 光束直徑 (注1) | 型號 | |
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NPN輸出 | PNP輸出 | |||||
檢測中心 30mm型 | 30±5mm | 10μm | 約?50μm | HG-C1030 | HG-C1030-P | |
檢測中心 50mm型 | 50±15mm | 30μm | 約?70μm | HG-C1050 | HG-C1050-P | |
檢測中心 50mm型 | 50±4mm | 20μm | 約?150μm | HG-C1050L | HG-C1050L-P | |
檢測中心 100mm型 | 100±35mm | 70μm | 約?120μm | HG-C1100 | HG-C1100-P | |
檢測中心 200mm型 | 200±80mm | 200μm | 約?300μm | HG-C1200 | HG-C1200-P | |
檢測中心 400mm型 | 400±200mm | 300μm (檢測距離 200~400mm) 800μm (檢測距離 400~600mm) | 約?500μm | HG-C1400 | HG-C1400-P |
(注1): | 測量中心距離處的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。 如果定義范圍外有漏光,并且檢測點范圍的反射率高于檢測點本身,則結(jié)果可能會受到影響。 |
---|
規(guī)格
種類 | 測量中心距離200mm型 | 測量中心距離400mm型 | ||
---|---|---|---|---|
型 號 | NPN 輸出 | HG-C1200 | HG-C1400 | |
PNP 輸出 | HG-C1200-P | HG-C1400-P | ||
符合規(guī)則 | EMC適合指令、FDA規(guī)則 | |||
測量中心距離 | 200mm | 400mm | ||
測量范圍 | ±80mm | ±200mm | ||
重復(fù)精度 | 200μm | 300μm(測量距離200~400mm) 800μm(測量距離400~600mm) | ||
直線性 | ±0.2%F.S. | ±0.2%F.S.(測量距離200~400mm) ±0.3%F.S.(測量距離400~600mm) | ||
溫度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 紅色半導(dǎo)體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)] 輸出:1mW、投光波峰波長:655nm | |||
光束直徑 (注3) | 約?300μm | 約?500μm | ||
電源電壓 | 12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下 | |||
消耗電流(注4) | 40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時) | |||
控制輸出 | NPN開路集電極晶體管 ? 流入電流:50mA ?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時) ? 漏電流:0.1mA以下 PNP開路集電極晶體管 ? 流入電流:50mA ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時) ? 漏電流:0.1mA以下 | |||
輸出動作 | 入光時ON/非入光時ON 可切換 | |||
短路保護(hù) | 配備(自動恢復(fù)) | |||
模擬輸出 | 模擬電壓輸出 | ?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V) ?輸出阻抗:100Ω | ||
模擬電流輸出(注5) | ?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA) ?輸出阻抗:300Ω | |||
反應(yīng)時間 | 1.5ms/5ms/10ms 可切換 | |||
外部輸入 | 〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入 ?輸入條件 無效:+8~+V DC或開路 有效:0~+1.2V DC ?輸入阻抗:約10kΩ PNP無接點輸入 ?輸入條件 無效:0~+0.6V DC或開路 有效:+4~+V DC ? 輸入阻抗:約10kΩ | |||
污損度 | 2 | |||
使用標(biāo)高 | 2,000m以下 | |||
耐 環(huán) 境 性 | 保護(hù)構(gòu)造 | IP67(IEC) | ||
使用環(huán)境 溫度 | -10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、儲存時:-20~+60℃ | |||
使用環(huán)境 濕度 | 35%RH~85%RH、儲存時:35%RH~85%RH | |||
使用環(huán)境 照度 | 白熾燈:受光面照度3,000 lx以下 | |||
耐振動 | 耐久10~55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時 | |||
耐沖擊 | 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次 | |||
電纜 | 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m | |||
延長電纜 | 0.3mm2以上電纜 最多延長至全長10m | |||
材質(zhì) | 本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基 | |||
重量 | 本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜) |
(注1): | 未測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。 |
---|---|
(注2): | 根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。 |
(注3): | 測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。 如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響。 |
(注4): | 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。 2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時) |
(注5): | 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。 |
種類 | 測量中心距離30mm型 | 測量中心距離50mm型 | 測量中心距離100mm型 | |
---|---|---|---|---|
型 號 | NPN 輸出 | HG-C1030 | HG-C1050 | HG-C1100 |
PNP 輸出 | HG-C1030-P | HG-C1050-P | HG-C1100-P | |
符合規(guī)則 | EMC適合指令、FDA規(guī)則 | |||
測量中心距離 | 30mm | 50mm | 100mm | |
測量范圍 | ±5mm | ±15mm | ±35mm | |
重復(fù)精度 | 10μm | 30μm | 70μm | |
直線性 | ±0.1% F.S. | |||
溫度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 紅色半導(dǎo)體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2) 輸出:1mW、投光波峰波長:655nm | |||
光束直徑 (注3) | 約?50μm | 約?70μm | 約?120μm | |
電源電壓 | 12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下 | |||
消耗電流(注4) | 40mA以下(電源電壓24V DC時)65mA以下(電源電壓12V DC時) | |||
控制輸出 | 〈NPN輸出型〉 NPN開路集電極晶體管 ? 流入電流:50mA ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時) ? 漏電流:0.1mA以下 〈PNP輸出型〉 PNP開路集電極晶體管 ? 源電流:50mA ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時) ? 漏電流:0.1mA以下 | |||
輸出動作 | 入光時ON/非入光時ON 可切換 | |||
短路保護(hù) | 配備(自動恢復(fù)) | |||
模擬輸出 | 模擬電壓輸出 | ?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V) ?輸出阻抗:100Ω | ||
模擬電流輸出(注5) | ?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA) ?輸出阻抗:300Ω | |||
反應(yīng)時間 | 1.5ms/5ms/10ms 可切換 | |||
外部輸入 | 〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入 ?輸入條件 無效:+8~+V DC或開路 有效:0~+1.2V DC ?輸入阻抗:約10kΩ PNP無接點輸入 ?輸入條件 無效:0~+0.6V DC或開路 有效:+4~+V DC ? 輸入阻抗:約10kΩ | |||
污損度 | 2 | |||
使用標(biāo)高 | 2,000m以下 | |||
耐環(huán)境性 | 保護(hù)構(gòu)造 | IP67(IEC) | ||
使用環(huán)境 溫度 | -10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時20~+60℃ | |||
使用環(huán)境 濕度 | 35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH | |||
使用環(huán)境 照度 | 白熾燈:受光面照度3,000 lx以下 | |||
電纜 | 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m | |||
材質(zhì) | 本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基 | |||
重量 | 本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜) |
(注1): | 未測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。 |
---|---|
(注2): | 根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。 |
(注3): | 測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。 如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響。 |
(注4): | 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。 2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時) |
(注5): | 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。 |
種類 | 測量中心距離50mm型 | |||
---|---|---|---|---|
型 號 | NPN 輸出 | HG-C1050L | ||
PNP 輸出 | HG-C1050L-P | |||
測量中心距離 | 50mm | |||
測量范圍 | ±4mm | |||
重復(fù)精度 | 20μm | |||
直線性 | ±0.3% F.S. | |||
溫度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
光源 | 紅色半導(dǎo)體激光 1級(JIS/IEC/GB) 輸出:0.2mW、發(fā)光光束波長:655nm | |||
光束直徑 (注2) | 約?150μm | |||
受光元件 | CMOS圖形傳感器 | |||
電源電壓 | 12V~24V DC±10% 脈動P-P10% | |||
消耗電流 | 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時) | |||
控制輸出 | 〈NPN輸出型〉 NPN開路集電極晶體管 ? 流入電流:50mA ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和0V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA下) ? 漏電流:0.1mA以下 〈PNP輸出型〉 PNP開路集電極晶體管 ? 源電流:50mA ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間) ? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA下) ? 漏電流:0.1mA以下 | |||
輸出動作 | 入光時ON/非入光時ON 可切換 | |||
短路保護(hù) | 配備(自動恢復(fù)) | |||
模擬輸出 | 電壓 | ?輸出范圍:0V~5V(報警時:+5.2V) ?輸出阻抗:100Ω | ||
電流 | ?輸出范圍:4mA~20mA(報警時:0mA) ?負(fù)載阻抗:300Ω | |||
反應(yīng)時間 | 1.5ms/5ms/10ms 可切換 | |||
外部輸入 | 〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入 ?輸入條件 無效:+8V~+V DC或者開放 有效:0V~+1.2V DC ?輸入阻抗:約10kΩ PNP無接點輸入 ?輸入條件 無效:0V~+0.6V DC或者開放 有效:+4~+V DC ? 輸入阻抗:約10kΩ | |||
保護(hù)構(gòu)造 | IP67(IEC) | |||
污染度 | 2 | |||
使用環(huán)境溫度 | -10℃~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時:-20℃~+60℃ | |||
使用環(huán)境濕度 | 35%RH~85%RH、存儲時:35%RH~85%RH | |||
使用環(huán)境照度 | 白熾燈:受光面照度3,000 lx以下 | |||
使用標(biāo)高 | 2,000m以下 | |||
電纜 | 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長2m | |||
材質(zhì) | 本體外殼:鋁鑄件 前面蓋板:丙烯基 | |||
重量 | 約35g(不含電纜)、約85g(含電纜) | |||
適用規(guī)格 | 符合EMC指令 |
(注1): | 未測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC、環(huán)境溫度:+20℃、反應(yīng)時間:10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。 |
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(注2): | 該值為測量中心距離上的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光,并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強(qiáng)反射,檢測結(jié)果可能會受到影響。 |
(注3): | 測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。 如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響。 |
尺寸圖
- 單位mm
HG-C□
型號 | 測量中心距離(L) | θ |
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HG-C1030(-P) | 30 | 30° |
HG-C1050(-P) | 50 | 22.5° |
HG-C1100(-P) | 100 | 12.5° |
HG-C1200(-P) | 200 | 6.3° |
HG-C1400(-P) | 400 | 3.2° |
HG-C1050L/HG-C1050L-P
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MS-HG-01
簡易安裝支架(另售)
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用途
真實傳達(dá)測量值
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小型?輕量
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長距離測量
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的段差檢測性能
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可選件
品名 | 型號 | 內(nèi)容 |
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簡易安裝支架 (注1) | MS-HG-01 | 立式安裝支架 |
(注1): | 因是簡易安裝支架,用來獲取位移數(shù)據(jù)和做嚴(yán)苛檢測時,根據(jù)設(shè)置條件可能無法保持檢測特性,請注意。 |
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簡易安裝支架
|
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