美國吉時利KEITHLEY2410源表高壓源表功率為20W，能夠提供和測量從±5μV（源）和±1μV（測量）到±1100V的電壓，及從±10pA到±1A的電流。由于具有較高的電壓源范圍，2410非常適合于電阻和電壓系數(shù)測試、變阻器、高壓二極管、開關(guān)、齊納管、射頻 二極管和整流器的測試。2410在提供1100V電壓的同時能夠測量20mA的電流，具有精確測試所需的特殊分辨率。
美國吉時利KEITHLEY2410源表系列應用領域
各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：
• 離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應晶體管（FET）等等
• 簡單IC器件——光學器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
• 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
• 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
• 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
• 太陽能電池
• 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路
測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性
雙極結(jié)型晶體管設計
結(jié)型場效應晶體管設計
金屬氧化物半導體場效應晶體管設計
太陽能電池和 LED 設計
高電子遷移率晶體管設計
復合半導體器件設計
分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標準
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應用中實現(xiàn)準確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復性
一種微分電導的改進測量方法
納米技術(shù)準確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點的測量挑戰(zhàn)
測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評估氧化層的可靠性
半導體器件結(jié)構(gòu)設計和試驗低電阻、低功耗半導體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數(shù)、互連和低功率半導體。
用于*CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術(shù)進行更高準確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試
多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析
1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – 耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應力：200°C，10 分鐘，±10V)
2. 雙極結(jié)型晶體管
主題
正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：爾利電壓。
反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。
Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實驗做比較。
BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性
襯底偏壓特性
亞閾值特性
襯底電流特性
VCSEL測試、光伏電池的I-V特性、IDDQ測試和待機電流測試、產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖、提升多引腳器件的生產(chǎn)量、創(chuàng)建可擴縮、多引腳、多功能IC測試系統(tǒng)、激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐率直流、二極管生產(chǎn)測試、高亮度、可見光LED、驗證變阻器、電池放電/充電周期、配置電阻網(wǎng)絡、大電流變阻器、熱敏電阻的生產(chǎn)測試
