GRISH納米二氧化硅拋光液(CMP)
我公司系列硅溶膠產品均是以高純硅粉為原料,經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品,廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光,如:硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦,精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。具有應用領域廣、拋光效率高、雜質含量低、拋光后容易清洗等特點。如:硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。可生產不同粒度(10~150 nm)的產品滿足用戶需求。根據pH值的不同可分為酸性拋光液和堿性拋光液。
產品的特點:
1. 高拋光速率,利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的(可以生產150 nm)
2. 粒度可控,根據不同需要,可生產不同粒度的產品(10-150 nm)
3. 高純度(Cu2+含量小于50 ppb),有效減小對電子類產品的沾污
4. 高平坦度加工,本品拋光是利用SiO2的膠體粒子,不會對加工件造成物理損傷,達到高平坦化加工
拋光液基本性質
堿性型號(pH:9.8±0.5) | SOQ-2A | SOQ-4A | SOQ-6A | SOQ-8A | SOQ-10A | SOQ-12D |
酸性型號(pH:2.8±0.5) | ASOQ-2A | ASOQ-4A | ASOQ-6A | ASOQ-8A | ASOQ-10A | ASOQ-12D |
粒徑(nm) | 10~30 | 30~50 | 50~70 | 70~90 | 90~110 | 110~130 |
外觀 | 乳白色或半透明液體 |
比重 | 1.15±0.05 |
組成 | 成份 | 含量(w%) |
SiO2 | 15~30 |
Na2O | ≤0.3 |
重金屬雜質 | ≤50 ppb |
拋光液組成
成份 | 含量(w%) |
SiO2 | 15~30 |
Na2O | ≤0.3 |
重金屬雜質 | ≤50 ppb |
拋光參數(參考值)
拋光壓力 | 150~250 g/cm2 |
拋光溫度 | 32~40 ℃ |
稀 釋 率 | <1:1~20 |
拋光時間 | 3~6 min |
注:本拋光參數只適用于硅片的拋光。
包 裝:500 ml/瓶,25 Kg/桶,或200 Kg/桶。
儲 存:儲存溫度0~35 ℃,在0 ℃以下因產生不可再分散凝膠而失效,溫度高于35 ℃條件下儲存會促使微生物生長和加速凝膠化,縮短儲藏期。上述條件下堿性拋光液可存放兩年左右,酸性拋光液可存放半年左右。
應用范圍:
1、硅晶圓片拋光;鍺片拋光;砷化鎵拋光;磷化銦拋光;光學晶體拋光;藍寶石襯底拋光;LED襯底拋光;
2、硒化鋅拋光;光纖連接器拋光;光纖跳線拋光;玻璃拋光;石英拋光,CMP拋光液;