產(chǎn)品簡介:1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD主要適用于我公司制造的VTC-600-3HD三靶磁控濺射儀、VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀,該磁控濺射頭可安裝直徑為1"的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材,如金屬靶材(如金、銀、銅等材料)、絕緣靶材(如陶瓷靶材、氧化物靶材、聚四氟乙烯靶材等)、磁性靶材、非磁性靶材等。且采用高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計,可提高鍍膜質(zhì)量。1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD配裝有環(huán)形NdFeB永磁體在濺射頭上,以保證濺射鍍膜的效率和薄膜在樣品表面分布的均勻性。
產(chǎn)品型號 | 1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD |
主要特點 | 1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。 2、采用電磁場的有元計算法來設(shè)計永磁體,以得到較高的磁場強度和均勻分布。 3、磁體表面涂有保護層,以防止冷卻水的腐蝕,延長其使用壽命。 4、標準的HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配。 5、安裝采用標準真空接頭,便于操作。 6、靶材更換較為簡單,無需調(diào)整濺射頭的高度。 7、配有銅靶1塊。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、濺射頭直徑:Ø46.3mm 2、所用靶材:直徑1"±0.02"(25.4mm),大厚度1/8"(3mm) 3、磁環(huán):NdFeB稀土永磁體 4、柄桿直徑:外徑3/4" 5、電路接頭:標準HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配 6、所需功率:DC大250W,RF大100W 7、陰極濺射電流:大3A 8、陰極濺射電壓:200V-1000V 9、工作壓力范圍:1mtorr-1torr 10、濺射厚度均勻性:采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個20nm的薄膜,直流功率150W,真空環(huán)境 10mtorr,1"銅靶,與基片距離75mm
11、水冷卻:水管接頭為外徑0.25"快插頭,所需水流量1/2GPM,進水溫度<20℃
12、高真空快速接頭:為贈送品,數(shù)量1個,內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝 孔直徑為1",真空腔體的壁厚不得大于1"
13、傾斜裝置:濺射頭相對于柄桿大可傾斜±45?,設(shè)有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度
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產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸:14"(355.6mm);重量:1.36kg |
可選配件 | 1、循環(huán)水冷機,流量為16L/min,水箱容積為6L。 2、100W小型手動匹配型射頻電源RF-100-LD,可自行搭建濺射鍍膜儀。 |
主要應(yīng)用 | 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,應(yīng)用如下: 薄膜涂覆、半導(dǎo)體器件、磁記錄介質(zhì)、超導(dǎo)薄膜、量子計算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術(shù)、超晶格、顆粒膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學(xué)薄膜 |