產(chǎn)品簡(jiǎn)介:4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),環(huán)境溫度在100℃-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化,從而大大提高了反應(yīng)物的活性,這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜,因此這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)。
4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào) | 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng) |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:不需要 2、電:AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源 4、工作臺(tái):尺寸1600mm×600mm×700mm,承重150kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要 |
主要特點(diǎn) | 1、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時(shí)也可以延長(zhǎng)儀器的使用壽命。 2、輝光放電等離子體中電子密度可達(dá)109cm3-1012cm3。 3、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍。 4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計(jì),可準(zhǔn)確地控制氣體流量。 5、一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。 6、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)部分,可手動(dòng)控制混合氣體的輸入。 7、已通過(guò)CE認(rèn)證。 |
技術(shù)參數(shù) | 管式爐 1、電源:AC220V 4KW 2、爐管:Ø50mm,Ø60mm,Ø80mm都可用 3、溫度控制器:30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器 4、加熱區(qū):440mm 5、恒溫區(qū):150mm |
等離子射頻電源 1、輸入功率:AC220V 1KW 2、輸出功率:50W-500W可調(diào),±1% 3、RF頻率:13.56MHz 4、噪聲:≤55DB 5、冷卻:風(fēng)冷 | |
真空泵和質(zhì)量流量計(jì) 1、真空度:10-3torr 2、波紋管:KF25系列 3、質(zhì)量流量計(jì):0-200,誤差0.02%,進(jìn)氣口采用標(biāo)準(zhǔn)雙卡頭 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,供氣及真空系統(tǒng)600mm×600mm×1250mm 重量:120kg |
可選配件 | 防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì) |