產(chǎn)品簡介:用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料粉末的理想設(shè)備。
產(chǎn)品型號 | GSL-450-PLD(Pulsed Laser Deposition) | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機,水溫小于25℃,水壓0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注純凈水或者去離子水); 2、電:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波動范圍:小于±6%,必須有良好接地(對地電阻小于2Ω); 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備氮/氬氣氣瓶(自帶Ø10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場地面積:設(shè)備尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要(外排廢氣管道)。 | ||
主要特點 | 1、由于激光光子能量很高,可濺射制備很多困難的鍍層:如高溫超導(dǎo)薄膜,陶瓷氧化物、氮化物薄膜,多層金屬薄膜等; 2、體積小,操作簡便可以非常容易的連續(xù)融化多個材料,實現(xiàn)多層膜制備; 3、可以通過控制激光能量和脈沖數(shù),精密的控制膜厚; 4、易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性; 5、沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻; 6、工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對靶材的種類沒有限制。 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、極限真空度:≤6.67x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后); 2、系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 3、系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,20分鐘可達到5x10-3 Pa。 | ||
基片參數(shù) | 1、基片尺寸:可放置φ2″基片(帶擋板); 2、基片加熱高溫度 800℃±1℃,由熱電偶閉環(huán)反饋控制,采用抗氧化材料作加熱器; 3、基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分,電機驅(qū)動磁耦合機構(gòu)控制; 4、基片與靶臺之間距離30~90mm可調(diào)。 | ||
轉(zhuǎn)靶參數(shù) | 1、每次可以裝四塊靶材,靶材尺寸:φ1″或φ2″; | ||
真空腔體 | 1、球型真空室尺寸Ф450mm,選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造,氬弧焊接,表面進行特殊工藝拋光處理,接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封; 2、真空腔體帶RF150活開門,方便取、放樣品; 3、RF100法蘭2套(1套紫外石英玻璃窗口用于激光器,另1套盲板紅外石英玻璃窗口用于測溫可選配); 4、RF100光學(xué)玻璃窗口1套(用于觀察)。 | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機尺寸:1800mm×1000mm×1600mm | ||
標(biāo)準配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得機組 | 1套 | |
3 | 真空測量 | 1套 |