產(chǎn)品簡介:高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。
產(chǎn)品型號 | GSL-CKJS-450-B1磁控濺射 | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備實(shí)驗(yàn)氣體氣瓶(自帶Ø10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場地:設(shè)備尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要 | ||
主要特點(diǎn) | 1、真空度高。 2、可制備多種薄膜,金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等,應(yīng)用廣泛。 3、體積小,操作簡便。 4、清理安裝便捷。 5、控制可選一體化觸摸屏控制 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、主濺射室尺寸:Ø450×355mm筒形真空室 2、主濺射室真空度:5×10-5Pa 3、永磁靶3套,靶材尺寸φ2″,各靶射頻與直流濺射兼容(其中1個靶可濺射鐵磁材料),靶與樣品距離90-110mm可調(diào) 4、三靶共濺,三個靶可共同折向樣品中心,距離40-80mm可調(diào) 5、基片加熱與水冷獨(dú)立工作,加熱爐可與水冷樣品臺可互換,加熱工位高溫度 600℃±1℃ 6、樣品尺寸:φ1″ 7、樣品臺可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5-15轉(zhuǎn)/分 8、基片可加-200V負(fù)偏壓 9、公轉(zhuǎn)6工位樣品臺,可一次性安裝6片φ1″基片,拆下水冷加熱樣品臺可換上6工位樣品臺,其中5個工位為自然冷卻工位,1個加熱工位,加熱工位溫度 600℃±1℃ | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸:1500×900mm×2000mm; | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得系統(tǒng) | 1套 | |
3 | 真空測量裝置 | 1套 |