產(chǎn)品描述
XDV-μ 型系列儀器是專為在很微小結(jié)構(gòu)上進(jìn)行高精度鍍層厚度測量和材料分析而設(shè)計的。該系列儀器均配備用于聚焦X射線束的多毛細(xì)管透鏡，光斑直徑（FWHM）可達(dá)10至60μm。短時間內(nèi)就可形成高強度聚焦射線。除了通用型XDV-?型儀器，還有專門為電子和半導(dǎo)體行業(yè)而設(shè)計的儀器。如XDV-μLD是專為測量線路板而優(yōu)化的，而XDV-μ wafer是為在潔凈間使用而設(shè)計的。XDV-μ測量空間寬大，樣品放置便捷，特別適合測量平面和大型板材類的樣品，還特意為面積超大的板材類樣品(例如大線路板)留有一個開口(C型槽)。連續(xù)測試或鍍層厚度和元素分布的測量都可以方便地用快速可編程XY工作臺完成。
操作很人性化，測量門帶有大觀察窗，并能大角度開啟，儀器前部控制面板具備多種功能，日常使用輕松便捷。帶有三種放大倍率變焦的高像素視頻系統(tǒng)能精確地定位樣品，即使是非常細(xì)的線材或者是半導(dǎo)體微小的接點都能高質(zhì)量地顯示出測量點所在位置。激光點作為輔助定位裝置進(jìn)-步方便了樣品的快速定位。
特點介紹：
。*的多毛細(xì)管透鏡，可將X射線聚集到很微小的測量面上。現(xiàn)代化的硅漂移探測器（SDD），確保很高的檢測靈敏度
。可用于自動化測量的超大可編程樣品平臺
。為特殊應(yīng)用而專門設(shè)計的儀器，包括：
。XDV-μ LD，擁有較長的測量距離（至少12mm）
。XDV-μLEAD FRAME，特別為測量引線框架鍍層如Au/Pd/Ni/CuFe等應(yīng)用而優(yōu)化
。XDV-μ wafer,配備全自動晶圓承片臺系統(tǒng)
應(yīng)用實例：
PCB領(lǐng)域的一個典型鍍層結(jié)構(gòu)是Au/Pd/Ni/Cu/PCB而且測量點的寬度通常都小于100 um, Au層和Pd層的厚度都在10到100 nm之 間。使用半寬高為20um的XDV-μ 進(jìn)行測量，Au層 和Pd層的重復(fù)精度分別可達(dá)到~0.1 nm和~0.5 nm。良好的性能和測量極小樣品的專長使得XDVμ儀器成為研究開發(fā)、質(zhì)量認(rèn)證和實驗室的理想選擇，同時也是質(zhì)量控制和產(chǎn)品監(jiān)控*的設(shè)備。
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| 引線框架：Au / Pd / Ni / CuFe | 測量PCB：Au / Ni / Cu / PCB | 晶圓：金/鈀/鎳/銅/硅晶圓 |
鍍層厚度測量
。測量未布元器件和已布元器件的印制線路板。在納米范圍內(nèi)測量復(fù)雜鍍層系統(tǒng)，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度
。對*大12英寸直徑的晶圓進(jìn)行全自動的質(zhì)量監(jiān)控
。在納米范圍內(nèi)測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）
。遵循標(biāo)準(zhǔn) DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568
材料分析
。分析諸如Na等極輕元素。分析銅柱上的無鉛化焊帽
。 分析半導(dǎo)體行業(yè)中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面
典型應(yīng)用領(lǐng)域
。測量PCB、引線框架和晶片上的鍍層系統(tǒng)。測量微小工件和線材上的鍍層系統(tǒng)
。分析微小工件的材料成分
