深圳市明佳達電子有限公司 * SPD08N50C3 和 IPI126N10N3G 分立半導(dǎo)體晶體管 只做原裝 全新* 量大價優(yōu) 質(zhì)量保證 有興趣的商友 歡迎隨時聯(lián)絡(luò)我們
一、SPD08N50C3 :
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 7.6A(Tc)
驅(qū)動電壓(Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On 600 毫歐 @ 4.6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th) 3.9V @ 350µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 32nC @ 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 750pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散 83W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3-1
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
二、IPI126N10N3G :
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 58A(Tc)
驅(qū)動電壓(Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On 12.6 毫歐 @ 46A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th) 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 35nC @ 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2500pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散 94W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO262-3
封裝/外殼 TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
售后服務(wù):
非人為失誤導(dǎo)致引腳氧化,上機無法正常工作等系列質(zhì)量問題,30天包換.(退換流程:客戶自簽收起15天內(nèi)應(yīng)完成抽樣測試,如有質(zhì)量問題,請在30天內(nèi)提供檢測反饋報告或照片,證實有效即可退或換)
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