BSC059N04LSG 單路N溝道晶體管：原裝現(xiàn)貨，質(zhì)量保證，價(jià)格實(shí)惠，海量庫(kù)存！

產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)：

FET 類型 N 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16A（Ta），73A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 5.9 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 2V @ 23µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（大值） 40nC @ 10V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 3200pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-5

封裝/外殼 8-PowerTDFN

特征：

用于SMPS的快速開關(guān)MOSFET
DC / DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化技術(shù)
根據(jù)JEDEC1）認(rèn)證，適用于目標(biāo)應(yīng)用
N通道 邏輯層
*的柵極電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）
導(dǎo)通電阻R DS（on）非常低
優(yōu)異的耐熱性
經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試
無(wú)鉛電鍍； 符合RoHS

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